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J-GLOBAL ID：202002214695694201   整理番号：20A0769723

フォトダイオード応用のためのAl/PCBM:ZnO/p-Siヘテロ接合の電気的性質【JST・京大機械翻訳】

Electrical properties of Al/PCBM:ZnO/p-Si heterojunction for photodiode application

著者 (4件)： Gullu H.H. (Department of Electrical and Electronics Engineering, Faculty of Engineering, Atilim University, 06836, Ankara, Turkey) ,  Yildiz D.E. (Department of Physics, Faculty of Arts and Sciences, Hitit University, 19030, Corum, Turkey) ,  Kocyigit A. (Department of Electrical and Electronics Engineering, Faculty of Engineering, Igdir University, 76000, Igdir, Turkey) ,  Yildirim M. (Department of Biotechnology, Faculty of Science, Selcuk University, 42130, Konya, Turkey)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 827  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,スピンコートPCBM:ZnO層間Al/PCBM:ZnO/Siダイオードの電気特性をフォトダイオード応用の目的で調べた。暗条件下では,ダイオードは約4桁の大きさの整流速度を示し,ダイオード照射は強度の増加により効率的な整流をもたらした。電流-電圧曲線の解析は,寄生抵抗と界面状態の存在による熱電子放出モデルに従って,非理想的ダイオード特性をもたらす。測定した電流-電圧値を用いて,暗および照明条件下で障壁高さと理想因子を抽出した。照明下での光発生キャリアは,光電流測定における電流と線形光伝導率挙動に寄与し,照明による光電流測定において,SiベースフォトダイオードにおけるハイブリッドPCBM:ZnO層の利用可能性を示した。さらに,照明下での直列およびシャント抵抗値の変化はダイオードのこの光センシング挙動に有効であることが分かった。この特性は,過渡光電流,光容量および光伝導率測定におけるフォトダイオードに対する典型的オン/オフ照明スイッチング挙動からも観測された。理想からの偏差も,印加周波数とバイアス電圧に依存する界面状態と直列抵抗の分布によって議論した。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： スピンコーティング ,  電流 ,  *フォトダイオード ,  整流 ,  *ヘテロ接合 ,  表面準位 ,  *酸化亜鉛 ,  電流測定 ,  光電流 ,  光伝導 ,  熱電子放出 ,  *ダイオード ,  電気特性 ,  照明条件 ,  電圧

著者キーワード (4件)： フォトダイオード ,  PCBM ZnO ,  スピンコーティング ,  電気的性質

分類 (2件)： 光導電素子  (NC03083X) ,  ダイオード  (NC03050R)

タイトルに関連する用語 (8件)： フォトダイオード ,  応用 ,  Al ,  PCBM ,  ZnO ,  Si ,  ヘテロ接合 ,  電気的性質