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J-GLOBAL ID：202002214930121856   整理番号：20A0018684

デュアルゲート低電圧有機トランジスタに基づく圧力センサのセンシング機構の研究【JST・京大機械翻訳】

Investigation of the sensing mechanism of dual-gate low-voltage organic transistor based pressure sensor

著者 (5件)： Ogunleye Olamikunle Osinimu (School of Materials Science, Japan Advanced Institute of Science and Technology, 1-1 Asahidai, Nomi, Ishikawa, 923-1211, Japan) ,  Ogunleye Olamikunle Osinimu (Department of Physics, Federal University Lokoja, Lokoja, P.M.B 1154, Nigeria) ,  Sakai Heisuke (School of Materials Science, Japan Advanced Institute of Science and Technology, 1-1 Asahidai, Nomi, Ishikawa, 923-1211, Japan) ,  Ishii Yuya (Faculty of Fiber Science and Engineering, Kyoto Institute of Technology, Kyoto, Kyoto, 606-8585, Japan) ,  Murata Hideyuki (School of Materials Science, Japan Advanced Institute of Science and Technology, 1-1 Asahidai, Nomi, Ishikawa, 923-1211, Japan)
資料名： Organic Electronics  (Organic Electronics)
巻： 75  ページ： Null  発行年： 2019年 
JST資料番号： W1352A  ISSN： 1566-1199  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二重ゲート圧力センサは圧電ポリフッ化ビニリデンとトリフルオロエチレンP(VDF-TrFE)センサと低電圧OFET読出し素子から成る。圧電層からの圧力誘起電圧はOFETのチャネルに蓄積された電荷キャリアを枯渇させ,閾値電圧のシフトを引き起こす。二重ゲート有機圧力センサと従来の二重ゲートOFETの両方から得られた結果の定量的解析により,センシング層の圧電定数が72pC/Nと推定されることを示した。この値を圧電測定システムで直接測定した値と比較することにより,二重ゲート圧力センサの動作機構はP(VDF-TrFE)層の圧電挙動に起因すると結論した。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 計測システム ,  ポリフッ化ビニリデン ,  定量的分析 ,  センサ ,  *圧電気 ,  チャネル ,  圧力センサ
準シソーラス用語： 圧電定数 ,  閾値電圧シフト ,  電荷キャリア ,  読出し ,  *有機FET ,  *低電圧 ,  *二重ゲート , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： デュアルゲート圧力センサ ,  デュアルゲート有機電界効果トランジスタ ,  しきい値電圧 ,  P(VDF-TrFE) ,  圧電定数

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  分析機器  (CC02020S)

タイトルに関連する用語 (6件)： デュアルゲート ,  低電圧 ,  有機トランジスタ ,  圧力センサ ,  センシング ,  研究