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J-GLOBAL ID：202002215125694449   整理番号：20A1258538

置換ベンゾビスベンゾチオフェン(BBBT)半導体結晶における層状分子充填の構築【JST・京大機械翻訳】

Architecting layered molecular packing in substituted benzobisbenzothiophene (BBBT) semiconductor crystals

著者 (8件)： Higashino Toshiki (Electronics and Photonics Research Institute, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Tsukuba, 305-8565, Japan. [e-mail]) ,  Arai Shunto ,  Inoue Satoru ,  Tsuzuki Seiji ,  Shimoi Yukihiro ,  Horiuchi Sachio ,  Hasegawa Tatsuo ,  Azumi Reiko
資料名： CrystEngComm  (CrystEngComm)
巻： 22  号： 21  ページ： 3618-3626  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2462A  ISSN： 1466-8033  CODEN： CRECF4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： π拡張縮合環分子を有する2D層状充填モチーフの構築と制御は,有機電子材料とデバイスの開発に極めて重要である。ここでは,適切に置換されたとき,2種類の層状充填モチーフがベンゾ[1,2-b:4,5-b′]ビス[b]ベンゾチオフェン(BBBT)に対して得られ,それ自身は層状結晶化度を示さないことを実証した。対称/非対称様式,2,8-ジデシル-BBBT(diC10-BBBT)および2-デシル-8-フェニル-BBBT(Ph-BBBT-C10)において,アルキル鎖とフェニル環の組合せで置換したBBBT誘導体を合成した。diC10-BBBTは主に滑り平行積層から成る層状π積層(LπS)構造を形成するが,Ph-BBBT-C10は主にT型接触から成る典型的な層状ヘリングボーン(LHB)充填構造を形成することを見出した。この特徴はBBBT:典型的なπスタックとヘリングボーン構造における非層状充填モチーフと関連しており,その多形は分子長軸に沿って大きな滑りを示す。結晶中の隣接分子間の分子間相互作用エネルギーの計算は,鎖間相互作用が長軸すべりを抑制し,それぞれLπSとLHBの形成をもたらすことを明らかにした。diC10-BBBTとPh-BBBT-C10の両方は,層状結晶性に由来する均一な(超)薄膜を形成し,約1cm~2V~-1s-1の正孔移動度をもつ良好なトランジスタ特性を示した。電子応用のためのπ拡張分子の可能性を調べるために,置換基修飾が結晶工学としてどのように有用であるかを論じた。Copyright 2020 Royal Society of Chemistry All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 相互作用 ,  対称性 ,  トランジスタ ,  薄膜 ,  分子間相互作用 ,  非対称性 ,  結晶度 ,  アルキル基 ,  二次元 ,  *分子充填
準シソーラス用語： 結晶工学 ,  正孔移動度 ,  置換基 ,  有機電子材料 ,  *半導体結晶 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 置換 ,  半導体結晶 ,  層状 ,  分子充填 ,  構築