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J-GLOBAL ID：202002215461128737   整理番号：20A1716351

接合品質を改善するためのPEDOT:PSS/n型Si界面における熱アニール原子層堆積AlO/化学トンネル酸化物スタック層の効果【JST・京大機械翻訳】

Effect of thermally annealed atomic-layer-deposited AlO/chemical tunnel oxide stack layer at the PEDOT:PSS/n-type Si interface to improve its junction quality

著者 (11件)： Karim Md Enamul (Graduate School of Science and Engineering, Saitama University, Saitama 338-8570, Japan) ,  Nasuno Yuki (Graduate School of Science and Engineering, Saitama University, Saitama 338-8570, Japan) ,  Kuddus Abdul (Graduate School of Science and Engineering, Saitama University, Saitama 338-8570, Japan) ,  Ukai Tomofumi (Bio-Nano Electronics Research Center, Toyo University, Kawagoe Saitama 335-8585, Japan) ,  Kurosu Shunji (Bio-Nano Electronics Research Center, Toyo University, Kawagoe Saitama 335-8585, Japan) ,  Tokuda Masahide (Bio-Nano Electronics Research Center, Toyo University, Kawagoe Saitama 335-8585, Japan) ,  Fujii Yasuhiko (Bio-Nano Electronics Research Center, Toyo University, Kawagoe Saitama 335-8585, Japan) ,  Hanajiri Tatsuro (Bio-Nano Electronics Research Center, Toyo University, Kawagoe Saitama 335-8585, Japan) ,  Ishikawa Ryo (Graduate School of Science and Engineering, Saitama University, Saitama 338-8570, Japan) ,  Ueno Keiji (Graduate School of Science and Engineering, Saitama University, Saitama 338-8570, Japan) ,  Shirai Hajime (Graduate School of Science and Engineering, Saitama University, Saitama 338-8570, Japan)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 128  号： 4  ページ： 045305-045305-12  発行年： 2020年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ポリ(3,4-エチレンジオキシチオフェン):ポリ(スチレンスルホナート(PEDOT:PSS)/n型結晶Si(n-Si)界面での電界反転を不動態化し,増強するために,原子層堆積-作製AlO_x/化学トンネル酸化物(ch-SiO_x)積層層に及ぼす熱アニーリングの影響を調べた。560°C,30分間のN_2/H_2形成ガス中でのアニーリングは,AlO_x/ch-SiO_xスタック層の有効少数キャリア寿命(τ_eff)を300~331μsに増加させ,シート抵抗を減少させ,PEDOT:PSS/n-Siヘテロ接合太陽電池において,それぞれ750mVと645mVのビルトイン電位と開回路電圧を強化した。これらの改善は,AlO_x/n-Si界面での不動態化能力とバンド配列を決定するトンネル酸化物ch-SiO_xの局所化学結合構造に由来する。Copyright 2020 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *界面 ,  化学結合 ,  焼なまし ,  電位 ,  電場 ,  *酸化物 ,  不動態化 ,  シート抵抗 ,  *熱アニーリング ,  ヘテロ接合太陽電池 ,  少数キャリア寿命 ,  改変
準シソーラス用語： 開回路電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (11件)： 接合品質 ,  PEDOT ,  PSS ,  Si ,  界面 ,  熱アニール ,  原子層堆積 ,  化学 ,  トンネル ,  酸化物 ,  スタック