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J-GLOBAL ID：202002215574580927   整理番号：20A1884128

紫外/オゾンプラズマ処理界面を有する金属-Al₂O₃-GaNキャパシタ

Metal-Al₂O₃-GaN capacitors with an ultraviolet/ozone plasma-treated interface

著者 (6件)： Kim Kwangeun (Department of Electrical and Computer Engineering, University of Wisconsin-Madison, Madison, WI 53706, United States of America) ,  Kim Kwangeun (Department of Electronic and Electrical Convergence Engineering, Hongik University, Sejong 30016, Republic of Korea) ,  Kim Jisoo (Department of Electrical and Computer Engineering, University of Wisconsin-Madison, Madison, WI 53706, United States of America) ,  Gong Jiarui (Department of Physics, University of Wisconsin-Madison, Madison, WI 53706, United States of America) ,  Liu Dong (Department of Electrical and Computer Engineering, University of Wisconsin-Madison, Madison, WI 53706, United States of America) ,  Ma Zhenqiang (Department of Electrical and Computer Engineering, University of Wisconsin-Madison, Madison, WI 53706, United States of America)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 59  号： 3  ページ： 030908 (5pp)  発行年： 2020年03月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,紫外線/オゾン(UV/O₃)処理により形成された界面酸化物層(Ga₂O_x)により,p型GaN金属酸化物半導体キャパシタ(n-MOSCAP)の界面品質が向上したことを明らかにした。Ga₂O_x界面酸化膜がn-MOSCAPsのトラップ電荷密度(Q_ot)と界面トラップ密度(D_it)を低下させることをX線光電子分光法,透過型電子顕微鏡法,X線分散分光法を用いて調べた。Ga₂O_x層の厚さは約1nmであることがわかった。周波数分散容量-電圧測定から,GaNバンドギャップ上で平均したQ_otは9.40×10¹¹から7.77×10¹¹cm^-2eV^-1に減少し,価電子帯端付近のD_itは9.78×10¹²から6.27×10¹²cm^-2eV^-1に減少した。本研究で得られた界面品質の改善方法は,MOS電界効果トランジスタや高電子移動度トランジスタなどのp-GaN電子デバイスの性能向上に応用できる可能性がある。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *紫外線照射 ,  *オゾン ,  *プラズマ処理 ,  *界面 ,  *薄膜コンデンサ ,  酸化アルミニウム ,  *窒化ガリウム ,  品質 ,  酸化ガリウム ,  密度 ,  状態密度 ,  X線光電子分光法 ,  透過型電子顕微鏡 ,  容量電圧特性 ,  エネルギー準位 ,  価電子バンド ,  HEMT ,  MOSFET
準シソーラス用語： *MISキャパシタ ,  GaN ,  トラップ密度 ,  界面準位密度 ,  ギャップ内準位 ,  価電子帯 ,  高電子移動度トランジスタ

分類 (1件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

タイトルに関連する用語 (4件)： オゾン ,  プラズマ処理 ,  界面 ,  キャパシタ