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J-GLOBAL ID：202002215689058927   整理番号：20A1884464

ゲート調整可能なグラフェン横方向トンネルダイオードの電気輸送特性

Electrical transport properties of gate tunable graphene lateral tunnel diodes

著者 (7件)： Shiga Kanako (Dept. of Electrical and Electronic Engineering, Tohoku Institute of Technology, Sendai, Miyagi 982-8577, Japan) ,  Komiyama Takahiro (RIEC, Tohoku University, Sendai, Miyagi 980-8577, Japan) ,  Fuse Yoshiki (RIEC, Tohoku University, Sendai, Miyagi 980-8577, Japan) ,  Fukidome Hirokazu (RIEC, Tohoku University, Sendai, Miyagi 980-8577, Japan) ,  Sato Akira (RIEC, Tohoku University, Sendai, Miyagi 980-8577, Japan) ,  Otsuji Taiichi (RIEC, Tohoku University, Sendai, Miyagi 980-8577, Japan) ,  Uchino Takashi (Dept. of Electrical and Electronic Engineering, Tohoku Institute of Technology, Sendai, Miyagi 982-8577, Japan)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 59  号： SI  ページ： SIID03 (6pp)  発行年： 2020年06月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ゲート調整可能なグラフェン横方向トンネルダイオードの電気輸送特性の詳細な研究を提示した。グラフェン-Al₂O₃-グラフェン横方向トンネルダイオードをSi/SiO₂基板上に作製し,作製したデバイスは1V以下の低電圧で整流特性を示した。整流挙動はバックゲート電圧を適用することにより制御できる。その結果,デバイスは高い非対称性と強い非線形性電流電圧(I-V)特性を示し,これは光学レクテナや赤外検出器のような応用に対して望ましい特性である。測定したI-V特性からパラメータを抽出することによりグラフェン横方向ダイオードの電気輸送機構を解析した。Al₂O₃層中の欠陥準位からのトラップ支援トンネリングが,作製したグラフェン横方向ダイオードの順方向電流の最も可能性のある機構であることを見出した。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *トンネルダイオード ,  *エレクトロトランスポート ,  横方向 ,  *グラフェン ,  ゲート【半導体】 ,  トンネル効果 ,  赤外検出器 ,  欠陥準位 ,  輸送現象 ,  非対称性 ,  非線形性
準シソーラス用語： ゲート電圧 ,  バックゲート ,  低電圧 ,  輸送特性

分類 (1件)： ダイオード  (NC03050R)

タイトルに関連する用語 (5件)： ゲート ,  グラフェン ,  横方向 ,  トンネルダイオード ,  輸送特性