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J-GLOBAL ID：202002215731352894   整理番号：20A1110586

HNO_3分子ドーピングによるTiO_2修飾CVD成長単層グラフェンの電気的性質の調整【JST・京大機械翻訳】

Tailoring of electrical properties of TiO₂ decorated CVD grown single-layer graphene by HNO₃ molecular doping

著者 (5件)： Kumar Singh Anand (Department of Electronics & Communication Engineering, Institute of Engineering and Technology, Lucknow 226021, India) ,  Chaudhary Vivek (Department of Physics, Motilal Nehru National Institute of Technology Allahabad, Prayagraj, 211004, India) ,  Kumar Singh Arun (Department of Physics, Motilal Nehru National Institute of Technology Allahabad, Prayagraj, 211004, India) ,  Kumar Singh Arun (Department of Pure and Applied Physics, Guru Ghasidas Vishwavidyalaya, Bilaspur 495009 CG, India) ,  Sinha S.R.P. (Department of Electronics & Communication Engineering, Institute of Engineering and Technology, Lucknow 226021, India)
資料名： Synthetic Metals  (Synthetic Metals)
巻： 264  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： C0123B  ISSN： 0379-6779  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： キャリア密度の制御とFermi準位のシフトは,二次元グラフェンの物理的性質を調整するためのアプローチを提供する。ここでは,硝酸(HNO_3)分子による化学蒸着(CVD)成長単層グラフェン(SLG)と二酸化チタン(TiO_2)ナノ粒子(NPs)修飾SLGの電気的性質の変調を報告する。Raman分光法と電荷輸送測定により,HNO_3処理により,元のグラフェンとTiO_2被覆SLGの両方にp型ドーピングがもたらされることを確認した。Gと2Dピークのシフトと相対強度比をHNO_3処理後に分析した。TiO_2NPs被覆CVD成長SLGの有無でドープしたHNO_3に対して,移動特性においてかなりのDirac点シフトが観察され,電荷移動とHNO_3分子相互作用を通してCVD成長SLGのp型ドーピングを明らかにした。キャリア密度とFermi準位の変化も全ての試料についてHNO_3処理後に計算した。著者らの結果は,化学修飾が多様な応用のための電気的性質CVD成長SLGを調節するための効果的なアプローチであることを実証した。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電荷移動 ,  硝酸 ,  *電気的性質 ,  被覆 ,  Fermi準位 ,  *ドーピング ,  キャリア密度 ,  二次元 ,  化学蒸着 ,  ナノ粒子 ,  *グラフェン
準シソーラス用語： 電荷輸送 ,  Dirac点 ,  *単層グラフェン ,  p型ドーピング , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： CVDグラフェン ,  分子ドーピング ,  TiO_2 ,  Raman分光法 ,  Fermiエネルギー

分類 (2件)： 高分子固体の物理的性質  (CG02024U) ,  静電機器  (NB10020R)

タイトルに関連する用語 (7件)： 分子 ,  ドーピング ,  修飾 ,  CVD ,  成長 ,  単層グラフェン ,  電気的性質