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J-GLOBAL ID：202002216213939954   整理番号：20A1026176

全水分解のためのPドープNiSe_2ナノシートの固有活性を促進するためのSe空孔のエンジニアリング【JST・京大機械翻訳】

Engineering Se vacancies to promote the intrinsic activities of P doped NiSe₂ nanosheets for overall water splitting

著者 (6件)： Lin Jinghuang (State Key Laboratory of Advanced Welding and Joining, Harbin Institute of Technology, Harbin 150001, China) ,  Wang Haohan (State Key Laboratory of Advanced Welding and Joining, Harbin Institute of Technology, Harbin 150001, China) ,  Cao Jian (School of Materials Science and Engineering, Harbin Institute of Technology, Harbin, China) ,  He Feng (Institute of Chemistry, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100190, China) ,  Feng Jicai (State Key Laboratory of Advanced Welding and Joining, Harbin Institute of Technology, Harbin 150001, China) ,  Qi Junlei (State Key Laboratory of Advanced Welding and Joining, Harbin Institute of Technology, Harbin 150001, China)
資料名： Journal of Colloid and Interface Science  (Journal of Colloid and Interface Science)
巻： 571  ページ： 260-266  発行年： 2020年 
JST資料番号： C0279A  ISSN： 0021-9797  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 元素ドーピングは電極触媒性能を修飾する一般的で効果的な方法であるが,各電気活性部位における低い固有活性はなお更なる改良を制限する。ここでは,Arプラズマ処理により,NiSe_2ナノシートアレイ(A-NiSe_2|P)の固有活性を増強するために,PドーピングとSe空格子点を同時に導入することにより,効果的な戦略を提供した。活性サイトの増大と電気伝導率の増大により,得られたA-NiSe_2|Pは水素発生性能の向上を示した。理論計算は,Se空格子点の導入がNi,SeおよびPサイトにおけるH*の吸着自由エネルギーの低下に重要な役割を果たし,A-NiSe_2|Pにおける固有活性の促進をもたらすことを明らかにした。さらに,二官能性電極触媒としてのA-NiSe_2|Pは,全体の水分解に対して10mAcm-2に達する1.62Vを必要とした。著者らの研究とA-NiSe_2|Pの理解は,全体的な水分解における触媒活性の増強における元素ドーピングと空格子点の重要性を強調する可能性がある。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 自由エネルギー ,  吸着 ,  電気伝導率 ,  アルゴン ,  *セレン ,  触媒活性 ,  活性部位 ,  *ドーピング ,  電極触媒 ,  プラズマ処理 ,  *ナノシート
準シソーラス用語： *水分解 ,  理論計算 ,  水素発生 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 固有の活動 ,  Pドーピング ,  Se空孔 ,  HER ,  NiSe_2

分類 (2件)： コロイド化学一般  (CB11010C) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (9件)： 水分解 ,  ドープ ,  ナノシート ,  固有 ,  活性 ,  促進 ,  Se ,  空孔 ,  エンジニアリング