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J-GLOBAL ID：202002216379777352   整理番号：20A1235939

n型4H-SiC上のNi/Nbオーム接触における接触抵抗と高温信頼性の改善のためのCF₄:O₂表面エッチング

CF₄:O₂ surface etching for the improvement of contact resistance and high-temperature reliability in Ni/Nb ohmic contacts on n-type 4H-SiC

著者 (12件)： Van Cuong Vuong (Research Institute for Nanodevice and Bio Systems, Hiroshima University, 1-4-2 Kagamiyama, Higashi-Hiroshima, Hiroshima, 739-8527, Japan) ,  Van Cuong Vuong (Hanoi National University of Education, 136 Xuan Thuy Street, Cau Giay, Hanoi, Vietnam) ,  Miyazaki Takamichi (School of Engineering, Tohoku University, Aramaki, Aoba-ku, Sendai, Japan) ,  Ishikawa Seiji (Research Institute for Nanodevice and Bio Systems, Hiroshima University, 1-4-2 Kagamiyama, Higashi-Hiroshima, Hiroshima, 739-8527, Japan) ,  Ishikawa Seiji (Phenitec Semiconductor Corp., 150, Kinoko-cho, Ibara, Okayama, 715-8602, Japan) ,  Maeda Tomonori (Research Institute for Nanodevice and Bio Systems, Hiroshima University, 1-4-2 Kagamiyama, Higashi-Hiroshima, Hiroshima, 739-8527, Japan) ,  Maeda Tomonori (Phenitec Semiconductor Corp., 150, Kinoko-cho, Ibara, Okayama, 715-8602, Japan) ,  Sezaki Hiroshi (Research Institute for Nanodevice and Bio Systems, Hiroshima University, 1-4-2 Kagamiyama, Higashi-Hiroshima, Hiroshima, 739-8527, Japan) ,  Sezaki Hiroshi (Phenitec Semiconductor Corp., 150, Kinoko-cho, Ibara, Okayama, 715-8602, Japan) ,  Yasuno Satoshi (Japan Synchrotron Radiation Research Institute, 1-1-1 Kouto, Sayo, Hyogo, 679-5198, Japan) ,  Koganezawa Tomoyuki (Japan Synchrotron Radiation Research Institute, 1-1-1 Kouto, Sayo, Hyogo, 679-5198, Japan) ,  Kuroki Shin-Ichiro (Research Institute for Nanodevice and Bio Systems, Hiroshima University, 1-4-2 Kagamiyama, Higashi-Hiroshima, Hiroshima, 739-8527, Japan)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 59  号： 5  ページ： 056501 (6pp)  発行年： 2020年05月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： n型4H-SiC基板へのNi/Nbオーム接触の形成に及ぼすCF₄:O₂表面エッチングの影響を研究した。透過線モデルから抽出された比接触抵抗は,CF₄:O₂エッチングとの接触が,エッチングプロセスのないサンプルより低い接触抵抗を有することを示した。X線回折結果は,作製プロセス後の接触界面で形成されたNi₂Siのより高い濃度が,より低い比接触抵抗率をもたらすことを示した。さらに,元素の深さ分布は,CF₄:O₂表面エッチングの下で,接触の界面における過剰炭素原子の低密度が観察されたことを明らかにした。透過型電子顕微鏡法により,界面における過剰炭素原子の低濃度と高密度Ni₂Siが,CF₄:O₂処理を受けるNi/Nb/4H-SiC接触の高い温度信頼性と同様に低い比接触抵抗率において重要な役割を果たすことを確認した。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： N型半導体 ,  *炭化ケイ素 ,  *ニッケル ,  *ニオブ ,  *Ohm接触 ,  *接触抵抗 ,  改良 ,  酸素 ,  エッチング ,  界面 ,  ケイ化物 ,  ニッケル化合物 ,  深さ分布 ,  電子顕微鏡観察 ,  X線回折 ,  フロン
準シソーラス用語： *4H-SiC ,  信頼性向上 ,  接触界面 ,  ニッケルシリサイド ,  透過型電子顕微鏡法

分類 (1件)： 半導体-金属接触  (BM03084G)

物質索引 (1件)： 四ふっ化炭素

タイトルに関連する用語 (7件)： 4H-SiC ,  Ni ,  Nb ,  オーム接触 ,  接触抵抗 ,  O2 ,  エッチング