Van Cuong Vuong について
Research Institute for Nanodevice and Bio Systems, Hiroshima University, 1-4-2 Kagamiyama, Higashi-Hiroshima, Hiroshima, 739-8527, Japan について
Van Cuong Vuong について
Hanoi National University of Education, 136 Xuan Thuy Street, Cau Giay, Hanoi, Vietnam について
Miyazaki Takamichi について
School of Engineering, Tohoku University, Aramaki, Aoba-ku, Sendai, Japan について
Ishikawa Seiji について
Research Institute for Nanodevice and Bio Systems, Hiroshima University, 1-4-2 Kagamiyama, Higashi-Hiroshima, Hiroshima, 739-8527, Japan について
Ishikawa Seiji について
Phenitec Semiconductor Corp., 150, Kinoko-cho, Ibara, Okayama, 715-8602, Japan について
Maeda Tomonori について
Research Institute for Nanodevice and Bio Systems, Hiroshima University, 1-4-2 Kagamiyama, Higashi-Hiroshima, Hiroshima, 739-8527, Japan について
Maeda Tomonori について
Phenitec Semiconductor Corp., 150, Kinoko-cho, Ibara, Okayama, 715-8602, Japan について
Sezaki Hiroshi について
Research Institute for Nanodevice and Bio Systems, Hiroshima University, 1-4-2 Kagamiyama, Higashi-Hiroshima, Hiroshima, 739-8527, Japan について
Sezaki Hiroshi について
Phenitec Semiconductor Corp., 150, Kinoko-cho, Ibara, Okayama, 715-8602, Japan について
Yasuno Satoshi について
Japan Synchrotron Radiation Research Institute, 1-1-1 Kouto, Sayo, Hyogo, 679-5198, Japan について
Koganezawa Tomoyuki について
Japan Synchrotron Radiation Research Institute, 1-1-1 Kouto, Sayo, Hyogo, 679-5198, Japan について
Kuroki Shin-Ichiro について
Research Institute for Nanodevice and Bio Systems, Hiroshima University, 1-4-2 Kagamiyama, Higashi-Hiroshima, Hiroshima, 739-8527, Japan について
Japanese Journal of Applied Physics について
N型半導体 について
炭化ケイ素 について
ニッケル について
ニオブ について
Ohm接触 について
接触抵抗 について
改良 について
酸素 について
エッチング について
界面 について
ケイ化物 について
ニッケル化合物 について
深さ分布 について
電子顕微鏡観察 について
X線回折 について
フロン について
4H-SiC について
信頼性向上 について
接触界面 について
ニッケルシリサイド について
透過型電子顕微鏡法 について
半導体-金属接触 について
4H-SiC について
Ni について
Nb について
オーム接触 について
接触抵抗 について
O2 について
エッチング について