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J-GLOBAL ID：202002216545665747   整理番号：20A0427177

(001)組織化多結晶MnAlGe膜の垂直磁気異方性【JST・京大機械翻訳】

Perpendicular magnetic anisotropy of (001)-textured poly-crystalline MnAlGe films

著者 (7件)： Kubota Takahide (Institute for Materials Research, Tohoku University, Sendai 980-8577, Japan) ,  Kota Yohei (National Institute of Technology, Fukushima College, Iwaki, Fukushima 970-8034, Japan) ,  Ito Keita (Institute for Materials Research, Tohoku University, Sendai 980-8577, Japan) ,  Umetsu Rie Y. (Institute for Materials Research, Tohoku University, Sendai 980-8577, Japan) ,  Sun Mingling (Institute for Materials Research, Tohoku University, Sendai 980-8577, Japan) ,  Mizuguchi Masaki (Institute for Materials Research, Tohoku University, Sendai 980-8577, Japan) ,  Takanashi Koki (Institute for Materials Research, Tohoku University, Sendai 980-8577, Japan)
資料名： AIP Advances (Web)  (AIP Advances (Web))
巻： 10  号： 1  ページ： 015122-015122-5  発行年： 2020年 
JST資料番号： U7121A  ISSN： 2158-3226  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Cu_2Sb型金属間化合物,MnAlGeは,単軸磁気結晶異方性と比較的小さい飽和磁化を示すことが知られており,それはスピントロニック応用,例えば小さな臨界電流密度を必要とするスピン移動現象に適している。結晶構造,飽和磁化,M_s,垂直磁気異方性,K_uのGe濃度依存性を,熱酸化非晶質層を持つシリコン基板上に作製したMnAlGe膜について調べた。化学量論およびGeリッチ試料に対して,膜は垂直磁化をもつ(001)組織を示した。M_sおよびK_uの最大値は,それぞれ270emu/cm3および4.8×106erg/cm3であり,文献におけるバルクおよびエピタキシャル成長膜に対して報告された値と同等の値であった。Copyright 2020 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 非晶質 ,  化学量論 ,  飽和磁化 ,  エピタクシー ,  熱酸化 ,  *磁気 ,  *多結晶 ,  *結晶 ,  *ゲルマニウム ,  臨界電流密度 ,  金属間化合物 ,  *垂直磁気異方性 ,  結晶構造 ,  垂直磁化 ,  濃度依存性

分類 (1件)： 金属結晶の磁性  (BM06040T)

タイトルに関連する用語 (3件)： 組織化 ,  多結晶 ,  垂直磁気異方性