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J-GLOBAL ID：202002217262058741   整理番号：20A0705766

超薄ホウ素ドープダイヤモンドの占有電子構造【JST・京大機械翻訳】

The occupied electronic structure of ultrathin boron doped diamond

著者 (14件)： Pakpour-Tabrizi A. C. (London Centre for Nanotechnology, Department of Electronic and Electrical Engineering, University College London, 17-19 Gordon Street, London WC1H 0AH, UK) ,  Schenk A. K. ,  Holt A. J. U. ,  Mahatha S. K. ,  Arnold F. ,  Bianchi M. ,  Jackman R. B. ,  Butler J. E. ,  Vikharev A. ,  Miwa J. A. ,  Hofmann P. ,  Cooil S. P. ,  Wells J. W. ,  Mazzola F.
資料名： Nanoscale Advances  (Nanoscale Advances)
巻： 2  号： 3  ページ： 1358-1364  発行年： 2020年 
JST資料番号： W5051A  ISSN： 2516-0230  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 角度分解光電子分光法を用いて,バルク状ホウ素ドープダイヤモンド膜(3μm)とホウ素ドープダイヤモンドの超薄(1.8nm)δ層の電子バンド構造を比較した。驚くべきことに,有効質量の小さな変化を除いて,有効質量の小さな修正を除いて,それらの物理的次元に関係なく,これらの試料の電子構造間に有意差はないことを示した。このことは,現在のところ,量子特性を有するホウ素ドープダイヤモンド構造を作製することができないことを示唆しているが,量子閉じ込めの影響を考慮する必要がなく,バルクドープダイヤモンドの古典的な電子特性を保持するナノスケールのホウ素ドープダイヤモンド構造が作製できることを意味する。Copyright 2020 Royal Society of Chemistry All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *ダイヤモンド ,  量子閉込め ,  有効質量 ,  *電子構造 ,  *ドーピング
準シソーラス用語： ナノスケール ,  電子バンド構造 ,  ARPES ,  *ボロンドープダイヤモンド , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  その他の超伝導体の物性  (BM04025Q)

タイトルに関連する用語 (2件)： ホウ素ドープダイヤモンド ,  電子構造