堆積金属接触によるシリコンオンインシュレータ上の平衡外ボディポテンシャル測定【JST・京大機械翻訳】

Alepidis Miltiadis; Bouchard Aude; Delacour Cecile; Bawedin Maryline; Ionica Irina

文献

J-GLOBAL ID：202002217515360667 整理番号：20A2442892

堆積金属接触によるシリコンオンインシュレータ上の平衡外ボディポテンシャル測定【JST・京大機械翻訳】

Out-of-Equilibrium Body Potential Measurement on Silicon-on-Insulator With Deposited Metal Contacts

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資料名：
巻： 67 号： 11 ページ： 4582-4586 発行年： 2020年
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

本論文は,シリコンオンインシュレータ(SOI)基板,非平衡体ポテンシャルにおける浮体効果の1つに焦点を当てた。SOI完全作製デバイスまたは圧力プローブで測定したSOIウエハのいずれかを調べる既存の研究とは異なり,ここでは,蒸着金属接触を有するSOI基板において,非平衡体ポテンシャルを調べた。種々の形状のクロムと金/チタン接触をSOIのシリコン膜上に堆積し,浮遊体電位を各ケースで調べた。デバイス挙動に及ぼすアニーリングの効果も調べた。析出金属接触の性能を,準静的条件下で電流と電位モニタリングにより評価した。金属とシリコン膜の間の仕事関数差に依存して,電流測定は,接触挙動が主にオーム状またはSchottky状であることを示した。体電位はSchottky様接触でそれ自身現れるが,オーム接触では有意な応答を示さないようである。ボディポテンシャルシグネチャに対する接触アーキテクチャの影響を説明し,強化されたボディポテンシャル応答に対する適切な接触レイアウトの選択を可能にした。Copyright 2020 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

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