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J-GLOBAL ID：202002217540490087   整理番号：20A0394817

部分p-AlGaNキャップ層を有する新しいAlGaN/GaN Schottky障壁ダイオードと高破壊と低ターンオン電圧のためのリセス二重金属アノード【JST・京大機械翻訳】

A novel AlGaN/GaN Schottky barrier diode with partial p-AlGaN cap layer and recessed dual-metal anode for high breakdown and low turn-on voltage

著者 (9件)： Zheng Xuefeng (Key Lab of Wide Bandgap Semiconductor Materials and Devices, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, 710071, People’s Republic of China) ,  Tang Zhenling (Key Lab of Wide Bandgap Semiconductor Materials and Devices, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, 710071, People’s Republic of China) ,  Lv Ling (School of Advanced Materials and Nanotechnology, Xidian University, Xi’an, 710071, People’s Republic of China) ,  Bai Dandan (Key Lab of Wide Bandgap Semiconductor Materials and Devices, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, 710071, People’s Republic of China) ,  Wang Chong (Key Lab of Wide Bandgap Semiconductor Materials and Devices, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, 710071, People’s Republic of China) ,  Mao Wei (Key Lab of Wide Bandgap Semiconductor Materials and Devices, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, 710071, People’s Republic of China) ,  Cao Yanrong (School of Mechano-electric Engineering, Xidian University, Xi’an, 710071, People’s Republic of China) ,  Ma Xiaohua (Key Lab of Wide Bandgap Semiconductor Materials and Devices, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, 710071, People’s Republic of China) ,  Hao Yue (Key Lab of Wide Bandgap Semiconductor Materials and Devices, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, 710071, People’s Republic of China)
資料名： Semiconductor Science and Technology  (Semiconductor Science and Technology)
巻： 35  号： 1  ページ： 015018 (9pp)  発行年： 2020年 
JST資料番号： E0503B  ISSN： 0268-1242  CODEN： SSTEET  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,部分的p-AlGaNキャップ層と凹形二重金属アノードを有する新しいAlGaN/GaN Schottky障壁ダイオードを提案し,TCADシミュレーションにより研究した。この構造を利用することにより,デバイスは逆ブロッキング容量と優れたフォワード性能の両方を達成できる。部分p-AlGaNキャップ層の動作機構を解析した。部分キャップ層の下のキャリアは枯渇し,電場は再分布し,より低い逆漏れ電流とより高い絶縁破壊電圧をもたらす。さらに,凹形二重金属陽極は,素子を低順方向バイアスでターンオンすることを可能にした。部分的なp-AlGaNキャップ層の長さと厚さが逆および順方向性能に及ぼす影響をさらに調べた。最適化されたデバイスは,2461Vの絶縁破壊電圧,0.43Vのターンオン電圧,および1738MW cm-2のMeritの最も高いBaigaの図形を有する優れた性能を示した。提案した素子の作製問題も示した。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *ダイオード ,  漏れ電流 ,  *重金属 ,  *アノード ,  最適化 ,  再分布 ,  電場 ,  凹形 ,  シミュレーション ,  ターンオン ,  ブロッキング ,  バイアス
準シソーラス用語： *ターンオン電圧 ,  *キャップ層 ,  *窒化アルミニウムガリウム , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  トランジスタ  (NC03070N) ,  ダイオード  (NC03050R)

タイトルに関連する用語 (8件)： AlGaN ,  キャップ層 ,  GaN ,  Schottky障壁ダイオード ,  破壊 ,  ターンオン電圧 ,  重金属 ,  アノード