文献

J-GLOBAL ID：202002217813195791   整理番号：20A1872489

反応性スパッタリングにより堆積したNiO膜の電気的性質に及ぼす粒界構造とそれらの影響【JST・京大機械翻訳】

Grain-boundary structures and their impact on the electrical properties of NiO films deposited by reactive sputtering

著者 (4件)： Iwata Tatsuya (Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University, Kyoto, 6158510, Japan) ,  Iwata Tatsuya (Toyama Prefectural University, Imizu, Toyama, 9390398, Japan) ,  Nishi Yusuke (Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University, Kyoto, 6158510, Japan) ,  Kimoto Tsunenobu (Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University, Kyoto, 6158510, Japan)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 709  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 酸化ニッケル(NiO)は抵抗スイッチング材料として使用するための広く研究されている酸化物である。本研究では,NiO膜を種々の酸素(O_2)流量(0.9~1.3sccm)下で反応性スパッタリングにより堆積した。NiO膜の構造をX線回折と透過型電子顕微鏡によって特性化した。分析から,NiO膜は20~40nmの粒径を有する<111>配向柱状構造を持ち,Ni偏析は1.0sccm以下のO_2流量下で堆積したNiO膜において優先的に結晶粒界(GBs)に現れた。導電性原子間力顕微鏡測定は,Ni偏析が支配的な電気伝導経路として働き,NiO膜の抵抗率の減少を引き起こすことを示した。さらに,Ni偏析を含むNiO膜を有するPt/NiO/Ptキャパシタ構造において,電流限界なしでも,アナログセット挙動に類似した抵抗減少が観察された。得られた抵抗は2桁の範囲で減少したが,印加電圧は増加した。抵抗減少の後,抵抗率の温度係数の増加が観察された。電圧印加に制定されたこれらの変化は,Ni偏析を含むGBsの電圧誘起酸素移動にリンクしていることが示唆された。GB構造も抵抗スイッチング挙動の観点から考察した。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： X線回折 ,  結晶粒界 ,  電気抵抗率 ,  電気伝導 ,  電子顕微鏡観察 ,  薄膜 ,  偏析 ,  流量 ,  *ニッケル ,  X線回折分析 ,  酸化ニッケル ,  *反応性スパッタリング ,  透過型電子顕微鏡 ,  温度係数
準シソーラス用語： 印加電圧 ,  抵抗スイッチング ,  電圧印加 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： 酸化ニッケル ,  薄膜 ,  抵抗スイッチング ,  量子点接触 ,  結晶粒界 ,  反応性高周波スパッタリング

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  金属薄膜  (BK14030T)

タイトルに関連する用語 (4件)： 反応性スパッタリング ,  堆積 ,  電気的性質 ,  粒界構造