文献

J-GLOBAL ID：202002217913474148   整理番号：20A0415080

超低消費電力磁気メモリの開発最前線 電圧トルクMRAMに向けた新材料探索と磁化反転制御技術開発

Materials Research and Development on Magnetization Switching Technique for Voltage-Torque MRAM

著者 (7件)： 野崎隆行 (産業技術総合研) ,  山本竜也 (産業技術総合研) ,  三輪真嗣 (東大 物性研) ,  三輪真嗣 (大阪大 大学院基礎工学研究科) ,  鈴木義茂 (産業技術総合研) ,  鈴木義茂 (大阪大 大学院基礎工学研究科) ,  湯浅新治 (産業技術総合研)
資料名： まぐね  (Magnetics Japan)
巻： 15  号： 1  ページ： 15-23  発行年： 2020年02月01日 
JST資料番号： L5842A  ISSN： 1880-7208  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 電圧磁気異方性制御効果は,電圧トルクMRAMのような超低電力スピントロニクスデバイスを実現するための有望な手法として大いに注目されている。このトピック的レビュー論文は,電圧トルクMRAMの将来の展望と技術的課題に関して議論すると共に,電圧誘起ダイナミック磁化反転の材料探索と実証に関する最近の進展を紹介する。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： スピントロニクス ,  磁性半導体 ,  磁気抵抗 ,  磁気異方性 ,  *MRAM ,  消費電力 ,  磁気メモリ ,  トルク ,  *磁化反転 ,  電圧制御 ,  誤り率 ,  データ書込 ,  トンネル接合 ,  磁気抵抗効果 ,  熱安定性 ,  磁気トンネル接合 ,  スピントルク
準シソーラス用語： スピントロニクス素子 ,  トンネル磁気抵抗 ,  *電圧磁気異方性制御 ,  超低電力 ,  スピン移動トルク ,  *電圧トルクMRAM ,  *電圧誘起ダイナミック磁化反転 ,  WER ,  VCMA

分類 (2件)： 記憶装置  (JC04060F) ,  磁区・磁化過程一般  (BM06111M)

引用文献 (62件)：

• S. Yuasa, T. Nagahama, A. Fukushima, Y. Suzuki, and K. Ando: Nat. Mater., 3, 868 (2004).
• S. S. Parkin, C. Kaiser, A. Panchula, P. M. Rice, B. Hughes, M. Samant, and S. H. Yang: Nat. Mater., 3, 862 (2004).
• J. C. Slonczewski: J. Magn. Magn. Mat., 159, L1 (1996).
• L. Berger, Phys. Rev. B, 54, 9353 (1996).
• E. B. Myers, D. C. Ralph, J. A. Katine, R. N. Louie, and R. A. Buhrman: Science, 285, 867 (1999).

タイトルに関連する用語 (9件)： 低消費電力 ,  磁気メモリ ,  開発 ,  トルク ,  MRAM ,  新材料 ,  探索 ,  磁化反転 ,  制御技術