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J-GLOBAL ID：202002217922921727   整理番号：20A2323527

45nm SOI-CMOSにおける最小50dBアイソレーションと+19.6dBm大信号電力ハンドリングによるDCから43GHzのSPSTスイッチ【JST・京大機械翻訳】

A DC to 43-GHz SPST Switch with Minimum 50-dB Isolation and +19.6-dBm Large-Signal Power Handling in 45-nm SOI-CMOS

著者 (3件)： Eltaliawy Ayman (University of Waterloo,RF/MMIC Group,Waterloo,ON,Canada,N2L 3G1) ,  Long John R. (University of Waterloo,RF/MMIC Group,Waterloo,ON,Canada,N2L 3G1) ,  Cahoon Ned (GlobalFoundries,Boston,MA,USA)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2020  号： RFIC  ページ： 63-66  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 広帯域CMOSトランシーバにおいて高い分離が可能な完全微分単一極単一列(SPST)スイッチについて述べた。SPSTスイッチは,挿入損失(IL)<3dBを維持しながら,DCから43GHzまで>50dBの分離を実現した。ILの-1dB圧縮(IP_1dB)に対するRF入力パワーは+19.6dBmであり,入力三次インターセプトポイントは+30.4dBm(両方とも20GHzにおける差動入力に対して)であった。プロトタイプは45nmのRF-SOI CMOS技術で製作され,0.0058mm2の活性領域を持っている。Copyright 2020 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 活性部位 ,  微分 ,  送受信機 ,  挿入損 ,  広帯域 ,  プロトタイプ ,  *CMOS

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (6件)： SOI ,  CMOS ,  アイソレーション ,  信号電力 ,  ハンドリング ,  DC