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J-GLOBAL ID：202002218413967472   整理番号：20A2531925

Bi_1.995Sn_0.005Te_3単結晶におけるSnドーピングに起因する異方性バンド構造への発展【JST・京大機械翻訳】

Evolution to an anisotropic band structure caused by Sn doping in Bi_1.995Sn_0.005Te₃ single crystals

著者 (6件)： Salawu Yusuff Adeyemi (Department of Physics, College of Natural and Life Science, Daegu University, Gyeongbuk 38453, Republic of Korea) ,  Sasaki Minoru (Department of Physics, Faculty of Science, Yamagata University, Kojirakawa, Yamagata 990-8560, Japan) ,  Kulbachinskii Vladimir Anatol’evich (Low Temperature Physics Department, Physics Faculty, Moscow State University, 119899, Moscow, Russia) ,  Ohnishi Akimasa (Department of Physics, Faculty of Science, Yamagata University, Kojirakawa, Yamagata 990-8560, Japan) ,  Kim Heon-Jung (Department of Physics, College of Natural and Life Science, Daegu University, Gyeongbuk 38453, Republic of Korea) ,  Kim Heon-Jung (Department of Materials-Energy Science and Engineering, College of Engineering, Daegu University, Gyeongbuk 38453, Republic of Korea)
資料名： Journal of Physics. Condensed Matter  (Journal of Physics. Condensed Matter)
巻： 33  号： 3  ページ： 035705 (9pp)  発行年： 2021年 
JST資料番号： B0914B  ISSN： 0953-8984  CODEN： JCOMEL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 磁気輸送研究は,技術的および基本的興味の材料における外来電子特性の存在を確立した。しかし,Fermi面(FSs)に関する情報を明らかにすることを意図したShubnikov-de Haas振動の測定は,印加電流に垂直な磁場中で主に行われている。ここでは,磁場を与えられた接触配置で垂直だけでなく印加電流に平行に,Bi_2-xSn_xTe_3(0≦x≦0.0075)とBi_2Se_3の異方性磁気輸送と異方性FS特性について調べた。Bi_2Te_3とBi_2Se_3の磁気輸送特性はほぼ等方性であったが,Bi_1.995Sn_0.005Te_3は全く異方性を示した。これらの観察結果は,関連するバンドの非放物線性に起因し,Sn濃度とともにより異方性のバンド構造に発展した。バンド異方性のこの感度は,少数のドーパントだけが縮退領域における無秩序レベルを増加させることが知られているので,むしろ予想外であった。Shubnikov-de Haas振動の測定における2つの異なる磁場方向を用いた著者らのアプローチは,機能性材料のFSsに光をより多く放出するための簡単で容易に採用可能な方法である。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 異方性 ,  磁場 ,  *バンド構造 ,  *単結晶 ,  電流 ,  *スズ ,  *ドーピング ,  Fermi面 ,  等方性 ,  縮退 ,  機能材料 ,  ドーパント
準シソーラス用語： 磁気輸送 ,  無秩序性 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 固体プラズマ  (BM02160W)

タイトルに関連する用語 (7件)： 単結晶 ,  Sn ,  ドーピング ,  起因 ,  異方性 ,  バンド構造 ,  発展