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J-GLOBAL ID：202002218421588661   整理番号：20A2258461

SiC中間層と厚い窒化物層を導入することによるGaN HEMTにおけるSi基板の低抵抗率の除去【JST・京大機械翻訳】

Elimination of the Low Resistivity of Si Substrates in GaN HEMTs by Introducing a SiC Intermediate and a Thick Nitride Layer

著者 (7件)： Bose Arijit (Department of Electrical and Mechanical Engineering, Nagoya Institute of Technology, Nagoya, Japan) ,  Biswas Debaleen (Department of Electrical and Mechanical Engineering, Nagoya Institute of Technology, Nagoya, Japan) ,  Hishiki Shigeomi (SIC Division, Air Water Inc, Nagano, Japan) ,  Ouchi Sumito (SIC Division, Air Water Inc, Nagano, Japan) ,  Kitahara Koichi (SIC Division, Air Water Inc, Nagano, Japan) ,  Kawamura Keisuke (SIC Division, Air Water Inc, Nagano, Japan) ,  Wakejima Akio (Department of Electrical and Mechanical Engineering, Nagoya Institute of Technology, Nagoya, Japan)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 41  号： 10  ページ： 1480-1483  発行年： 2020年 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 6インチCzochralski(Cz)-Si基板上に金属酸化物化学蒸着(MOCVD)により成長させたAlGaN/GaN高電子移動度トランジスタ(HEMT)の高周波性能に及ぼす厚い窒化物層の影響を報告した。厚い窒化物層を3C-SiC中間層により成長させた。2μmゲート長デバイスに対して,著しく低い寄生パッド容量と4.5GHzの同等のカットオフ周波数が,約200cm2/Vの移動度と520mA/mmのドレイン電流密度のような優れた電子輸送特性と共に達成された。抽出した小信号等価回路パラメータも,測定したカットオフ周波数と寄生容量の精度を検証した。Copyright 2020 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 移動度 ,  金属酸化物 ,  *炭化ケイ素 ,  HF【周波数】 ,  漂遊容量 ,  回路定数 ,  化学蒸着 ,  MOCVD ,  *HEMT ,  *シリコンウエハ ,  3C-炭化ケイ素 ,  窒化アルミニウムガリウム/窒化ガリウム
準シソーラス用語： ゲート長 ,  ドレイン電流 ,  3C-SiC ,  *GaN HEMT ,  AlGaN/GaN , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： SiC ,  中間層 ,  窒化物層 ,  GaN ,  HEMT ,  Si基板 ,  低抵抗