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J-GLOBAL ID：202002218462135519   整理番号：20A2237654

ボロンドープSiC原料を用いた窒素・ホウ素コドープ4H-SiC結晶成長

Nitrogen and Boron Co-doped 4H-SiC Growth with Using Boron Doped SiC Powders

著者 (5件)： 江藤数馬 (産業技術総合研) ,  高野美育 (太平洋セメント) ,  鈴木将治 (太平洋セメント) ,  一坪幸輝 (太平洋セメント) ,  加藤智久 (産業技術総合研)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 67th  ページ： ROMBUNNO.13a-PA6-1  発行年： 2020年02月28日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 低抵抗なn型4H-SiC基板を用いることができれば、オン抵抗の削減などSiCデバイスの高性能化に有用であるが、低抵抗なバルク結晶を得るために高窒素濃度の4H-SiC結晶成長を行うと積層欠陥が発生する[1]。高窒素濃度4H-SiC成長に関し...【本文一部表示】

シソーラス用語： 温度測定 ,  界面 ,  *結晶成長 ,  昇華 ,  粉体 ,  アルゴン ,  アルミニウム ,  *窒素 ,  *ホウ素 ,  *炭化ケイ素 ,  *ドーピング ,  分圧 ,  積層欠陥
準シソーラス用語： 共ドーピング ,  *4H-SiC , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (6件)： SiC ,  原料 ,  窒素 ,  ホウ素 ,  4H-SiC ,  結晶成長