文献

J-GLOBAL ID：202002218613546708   整理番号：20A0595194

窒化アルミニウムと3C-SiCバッファ層を用いた微斜面Si(001)基板上に成長させた半極性窒化ガリウム層における転位反応【JST・京大機械翻訳】

Dislocation Reactions in a Semipolar Gallium Nitride Layer Grown on a Vicinal Si(001) Substrate Using Aluminum Nitride and 3C-SiC Buffer Layers

著者 (8件)： Sorokin L. M. (Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia) ,  Gutkin M. Yu. (Institute of Problems of Mechanical Engineering, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia) ,  Gutkin M. Yu. (“ITMO University”, St. Petersburg, Russia) ,  Gutkin M. Yu. (Peter the Great St. Petersburg Polytechnic University, St. Petersburg, Russia) ,  Myasoedov A. V. (Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia) ,  Kalmykov A. E. (Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia) ,  Bessolov V. N. (Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia) ,  Kukushkin S. A. (“ITMO University”, St. Petersburg, Russia)
資料名： Physics of the Solid State  (Physics of the Solid State)
巻： 61  号： 12  ページ： 2316-2320  発行年： 2019年 
JST資料番号： W0823A  ISSN： 1063-7834  CODEN： PSOSED  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 透過型電子顕微鏡を用いて,3C-SiC/Si(001)テンプレート上に水素化物気相エピタクシーにより成長させた厚い(14μm)半極性GaN層における+cと転位の相互作用を調べた。冷却中のBurgersベクトルb=[数式:原文を参照]による転位半ループの伝搬は,Burgersベクトルb=<0001>を持つ転位セグメントの形成を伴うBurgersベクトルb=[数式:原文を参照]との貫通転位との反応によりブロックできることを示した。このような反応の結果としての系のエネルギーの利得を理論的に推定した。転位線形張力の近似の範囲内で,この利得は~7.6eV/Åであり,長さ~600nmの新しい転位セグメントに対して~4keVを与えた。転位コアのエネルギーの寄与は~19.1keVと推定される。Copyright Pleiades Publishing, Ltd. 2019 Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *窒化アルミニウム ,  相互作用 ,  貫通転位 ,  *転位反応 ,  Burgersベクトル ,  線形性 ,  *微斜面 ,  *窒化ガリウム ,  *バッファ層 ,  張力 ,  透過型電子顕微鏡 ,  利得
準シソーラス用語： 転位芯 ,  半極性 ,  *3C-SiC , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： 半極性窒化ガリウム ,  転位反応 ,  TEM

分類 (4件)： 半導体の可視・紫外スペクトル  (BM08083Y) ,  励起子  (BM02120E) ,  電子輸送の一般理論  (BM03020C) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (9件)： 窒化アルミニウム ,  3C-SiC ,  バッファ層 ,  微斜面 ,  Si ,  成長 ,  半極性 ,  窒化ガリウム ,  転位反応