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J-GLOBAL ID：202002218624065574   整理番号：20A1936607

第一原理を用いたGe中の低速イオンに対するチャネリング条件下での電子阻止能【JST・京大機械翻訳】

Electronic stopping power under channeling conditions for slow ions in Ge using first principles

著者 (11件)： Fu Yan-Long (The Key Laboratory of Beam Technology and Material Modification of Ministry of Education, College of Nuclear Science and Technology, Beijing Normal University, Beijing 100875, China) ,  Fu Yan-Long (Beijing Radiation Center, Beijing 100875, China) ,  Li Chang-Kai (The Institude of Technological Science, Wuhan University, Wuhan 430072, China) ,  Sang Hai-Bo (The Key Laboratory of Beam Technology and Material Modification of Ministry of Education, College of Nuclear Science and Technology, Beijing Normal University, Beijing 100875, China) ,  Sang Hai-Bo (Beijing Radiation Center, Beijing 100875, China) ,  Cheng Wei (The Key Laboratory of Beam Technology and Material Modification of Ministry of Education, College of Nuclear Science and Technology, Beijing Normal University, Beijing 100875, China) ,  Cheng Wei (Beijing Radiation Center, Beijing 100875, China) ,  Cheng Wei (Ningbo Institute of Industrial Technology, Chinese Academy of Sciences, Ningbo, Zhejiang 315201, China) ,  Zhang Feng-Shou (The Key Laboratory of Beam Technology and Material Modification of Ministry of Education, College of Nuclear Science and Technology, Beijing Normal University, Beijing 100875, China) ,  Zhang Feng-Shou (Beijing Radiation Center, Beijing 100875, China) ,  Zhang Feng-Shou (Center of Theoretical Nuclear Physics, National Laboratory of Heavy Ion Accelerator of Lanzhou, Lanzhou 730000, China)
資料名： Physical Review. A  (Physical Review. A)
巻： 102  号： 1  ページ： 012803  発行年： 2020年 
JST資料番号： D0323D  ISSN： 2469-9926  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 半導体Ge中の低速イオン(プロトンとα粒子を含む)の電子阻止力を,Ehrenfest動力学に基づく時間依存密度汎関数理論の助けを借りて研究した。本研究の目的は,遅いイオンのエネルギー損失機構をさらに学ぶことである。投射物体イオンが[数式:原文を参照]と[数式:原文を参照]チャネルに沿って結晶膜を通過するとき,チャネル電子密度,阻止力,およびトラップ電子を調査することによって,電子阻止パワーのチャネリング効果を詳細に解析した。この結果は,利用可能な実験データおよび他の理論計算と良く一致し,この方法が電子阻止能を合理的に記述できることを示した。さらに,これらの結果は低エネルギー領域におけるGeのイオンビーム照射に対する参照データとして作用する。Copyright 2020 The American Physical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： α粒子 ,  *イオン ,  エネルギー損失 ,  *チャネリング ,  電子密度 ,  半導体 ,  陽子 ,  *ゲルマニウム ,  投射物体 ,  イオン照射 ,  低速度 ,  低エネルギー領域 ,  捕捉電子
準シソーラス用語： 理論計算 ,  TDDFT , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： イオンとの相互作用  (BK16070Z) ,  チャネリング,ブロッキング,粒子のエネルギー損失  (BK16100J) ,  イオンとの衝突・散乱  (BH04040Q)

タイトルに関連する用語 (6件)： 第一原理 ,  Ge ,  低速 ,  イオン ,  チャネリング ,  電子阻止能