文献

J-GLOBAL ID：202002218998462107   整理番号：20A2553468

短絡可能なGaN-HEMTベースコンバータのための高周波準Zソースインバータの概念【JST・京大機械翻訳】

High-frequency Quasi-Z-source Inverter Concept for Short-circuit Capable GaN-HEMT-based Converters

著者 (4件)： Nakayama Taichi (University of Tsukuba,Graduate School of Pure and Applied Sciences,Tsukuba,Japan) ,  Mannen Tomoyuki (University of Tsukuba,Faculty of Pure and Applied Sciences,Tsukuba,Japan) ,  Nakajima Akira (University of Tsukuba,Faculty of Pure and Applied Sciences,Tsukuba,Japan) ,  Isobe Takanori (University of Tsukuba,Faculty of Pure and Applied Sciences,Tsukuba,Japan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2020  号： ECCE  ページ： 3712-3717  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文は,準Zソースインバータ(qZSI)にGaN-HEMTを適用することを提案する。qZSIは,インダクタがシュートスルー電流を制限するので,qZSIのインピーダンス源におけるインダクタを所有するGaN-HEMTの貧弱な短絡能力をカバーすることができる。理論解析から,インダクタンスの設計手順を,正常運転と短絡故障保護の両条件下で考察した。電圧源インバータ(VSI)とqZSIの短絡故障等価回路において,GaN-HEMTを用いた短絡回路試験を行った。実験は,qZSIが98.5%の負荷短絡故障の間,GaN-HEMTの電力消費を減少でき,インバータの短絡耐性を4μs以上まで増加することを示した。結果として,qZSIはGaN-HEMTの応用範囲を拡張することができる。Copyright 2020 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： インダクタンス ,  インピーダンス ,  等価回路 ,  電力消費 ,  *HF【周波数】 ,  電圧形インバータ
準シソーラス用語： 理論解析 ,  *GaN HEMT ,  貫通電流 ,  *Zソースインバータ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (7件)： 短絡 ,  GaN ,  HEMT ,  コンバータ ,  高周波 ,  Zソースインバータ ,  概念