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J-GLOBAL ID：202002219056906098   整理番号：20A2258188

a-IGZO薄膜トランジスタの高安定性に及ぼす二段階アニーリングの効果【JST・京大機械翻訳】

Effect of Two-Step Annealing on High Stability of a-IGZO Thin-Film Transistor

著者 (5件)： Peng Cong (Key Laboratory of Advanced Display and System Application, Ministry of Education, Shanghai University, Shanghai, China) ,  Yang Shibo (Key Laboratory of Advanced Display and System Application, Ministry of Education, Shanghai University, Shanghai, China) ,  Pan Chengchao (Key Laboratory of Advanced Display and System Application, Ministry of Education, Shanghai University, Shanghai, China) ,  Li Xifeng (Key Laboratory of Advanced Display and System Application, Ministry of Education, Shanghai University, Shanghai, China) ,  Zhang Jianhua (Key Laboratory of Advanced Display and System Application, Ministry of Education, Shanghai University, Shanghai, China)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 67  号： 10  ページ： 4262-4268  発行年： 2020年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,非晶質In-Ga-Zn-O(a-IGZO)薄膜トランジスタ(TFT)の電気的性質と安定性に及ぼす活性層(AL)と完成デバイスにおける二段階アニーリングの影響を調べた。a-IGZO TFTデバイスのサブ閾値スイング(SS)と安定性は大きく改善され,TFTデバイスを最適2段階アニーリングプロセス(前アニーリングの200°Cとポストアニーリングの300°C)で処理すると,負バイアス照明安定性(NIBS)下のハンプ現象は特に良く抑制された。IGZO薄膜の表面形態,内部化学状態,および電気的性質の分析に基づいて,二段階アニーリングデバイスの改良は,AL中の酸素空孔を充填し,絶縁層とALの間の欠陥を良好に不動態化することに起因する可能性がある。結果は,2段階アニーリングがIGZO TFTの有望な方法であり,デバイスの安定性を改善するだけでなく,NIBSにおけるハンプ現象を抑制するのに有益であることを示した。Copyright 2020 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *焼なまし ,  *薄膜 ,  電気的性質 ,  不動態化 ,  *薄膜トランジスタ ,  非晶質 ,  バイアス ,  活性層
準シソーラス用語： 表面形態 ,  化学状態 ,  酸素空格子点 ,  *酸化インジウム・ガリウム・亜鉛 ,  絶縁層 ,  ポストアニーリング ,  サブ閾値スイング , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： IGZO ,  薄膜トランジスタ ,  安定性 ,  段階 ,  アニーリング