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J-GLOBAL ID：202002219184847339   整理番号：20A2635149

熱画像法によるSi技術板中の非平衡電荷キャリアの再結合パラメータの研究【JST・京大機械翻訳】

Investigation of Recombination Parameters of Nonequilibrium Charge Carriers in Si Technological Plates by Thermal Imaging Method

著者 (1件)： Chyrchyk S. V. (Mykhailo Boichuk Kyiv State Academy of Decorative-Applied Arts and Design, Kyiv, Ukraine)
資料名： Radioelectronics and Communications Systems  (Radioelectronics and Communications Systems)
巻： 63  号： 9  ページ： 488-496  発行年： 2020年 
JST資料番号： W4886A  ISSN： 0735-2727  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,熱画像法によるSi技術板における非平衡電荷担体の再結合パラメータの研究に関する研究アプローチを提供した。電荷キャリアの寿命,拡散長および表面再結合速度を考慮した。この方法は,IRカメラを用いて3~5μmのスペクトル領域における自己吸収端を超えたSi試料の熱放射の空間分布の研究に基づいている。シリコン技術サンプル研究の実験結果は,シリコンサンプル(n-Si,ρ=500Ωcm,d=8mm)における過剰電荷キャリア濃度の分布およびT=150°Cにおける電荷キャリアの拡散分布である。シリコン試料中の拡散長と体積寿命の温度依存性を,レーザ励起中の自己吸収端を超える熱放射減衰の動力学と光伝導減衰の方法によって,IRカメラを用いて3つの異なる方法で測定した。このアプローチを,JSC「Quasar」での太陽電池パネル製造に用いるシリコン板の入力制御のプロセスに実装した。Copyright Pleiades Publishing, Ltd. 2020 Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 光伝導 ,  *再結合 ,  *電荷 ,  熱放射 ,  *ケイ素 ,  *非平衡状態 ,  温度依存性 ,  スペクトル ,  拡散距離 ,  赤外線カメラ ,  キャリア密度 ,  レーザ励起 ,  吸収端
準シソーラス用語： *電荷キャリア ,  表面再結合速度 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体と絶縁体の電気伝導一般  (BM03041P)

タイトルに関連する用語 (7件)： 熱画像法 ,  Si ,  非平衡 ,  電荷キャリア ,  再結合 ,  パラメータ ,  研究