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J-GLOBAL ID：202002219463125410   整理番号：20A2463555

電場誘起バンドエッジエンジニアリングによる[数式:原文を参照]と[数式:原文を参照]のvan der Waalsヘテロ構造におけるキャリア分布制御【JST・京大機械翻訳】

Carrier Distribution Control in van der Waals Heterostructures of [Formula : see text] and [Formula : see text] by Field-Induced Band-Edge Engineering

著者 (3件)： Maruyama Mina (Department of Physics, Graduate School of Pure and Applied Sciences, University of Tsukuba, 1-1-1 Tennodai, Tsukuba, Ibaraki 305-8571, Japan) ,  Nagashio Kosuke (Department of Materials Engineering, Graduate School of Engineering, The University of Tokyo, 7-3-1 Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, Japan) ,  Okada Susumu (Department of Physics, Graduate School of Pure and Applied Sciences, University of Tsukuba, 1-1-1 Tennodai, Tsukuba, Ibaraki 305-8571, Japan)
資料名： Physical Review Applied  (Physical Review Applied)
巻： 14  号： 4  ページ： 044028  発行年： 2020年 
JST資料番号： W3691A  ISSN： 2331-7019  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 垂直電場下の[数式:原文を参照]と[数式:原文を参照]からなるvan der Waalsヘテロ構造の電子特性を,密度汎関数理論に基づく電界強度,電子ドーピング濃度,および層間積層配置の観点から研究した。計算結果は,蓄積キャリア分布が,磁場方向,電界強度,およびドーピング濃度を調整することによって制御できることを示した。電子は,低ドーピング濃度で強い正磁場下で正に帯電した電極側の[数式:原文を参照]層上に局在化し,一方,強い負の磁場の下では[数式:原文を参照]と[数式:原文を参照]層の両方に拡張される。層間の誤配向は,強い負の磁場の下で,正の場と非局在化の下で電子局在化をさらに増強した。積層配置と電場は,van der Waalsヘテロ構造の電子特性の付加的調整を可能にする。Copyright 2020 The American Physical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 磁場 ,  *電場 ,  ドーピング ,  密度汎関数法 ,  電界強度
準シソーラス用語： キャリア分布 ,  ミスオリエンテーション ,  非局在化 ,  局在化 ,  電子ドーピング ,  *van der Waalsヘテロ構造 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (9件)： 電場 ,  誘起 ,  バンドエッジ ,  エンジニアリング ,  数式 ,  参照 ,  VAN ,  ヘテロ構造 ,  キャリア分布