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J-GLOBAL ID：202002220361177493   整理番号：20A0656399

高性能オプトエレクトロニクスデバイスアレイのための単分子層二硫化モリブデンにおける原子空孔制御と元素置換【JST・京大機械翻訳】

Atomic Vacancy Control and Elemental Substitution in a Monolayer Molybdenum Disulfide for High Performance Optoelectronic Device Arrays

著者 (10件)： Chee Sang-Soo (School of Materials Science and Engineering, Gwangju Institute of Science and Technology (GIST), Gwangju, 61005, Republic of Korea) ,  Lee Won-June (School of Materials Science and Engineering, Gwangju Institute of Science and Technology (GIST), Gwangju, 61005, Republic of Korea) ,  Jo Yong-Ryun (School of Materials Science and Engineering, Gwangju Institute of Science and Technology (GIST), Gwangju, 61005, Republic of Korea) ,  Cho Min Kyung (Advanced Analysis Center, Korea Institute of Science and Technology (KIST), Seoul, 02792, Republic of Korea) ,  Chun DongWon (Advanced Analysis Center, Korea Institute of Science and Technology (KIST), Seoul, 02792, Republic of Korea) ,  Baik Hionsuck (Korea Basic Science Institute (KBSI), Seoul, 02841, Republic of Korea) ,  Kim Bong-Joong (School of Materials Science and Engineering, Gwangju Institute of Science and Technology (GIST), Gwangju, 61005, Republic of Korea) ,  Yoon Myung-Han (School of Materials Science and Engineering, Gwangju Institute of Science and Technology (GIST), Gwangju, 61005, Republic of Korea) ,  Lee Kayoung (School of Materials Science and Engineering, Gwangju Institute of Science and Technology (GIST), Gwangju, 61005, Republic of Korea) ,  Ham Moon-Ho (School of Materials Science and Engineering, Gwangju Institute of Science and Technology (GIST), Gwangju, 61005, Republic of Korea)
資料名： Advanced Functional Materials  (Advanced Functional Materials)
巻： 30  号： 11  ページ： e1908147  発行年： 2020年 
JST資料番号： W1336A  ISSN： 1616-301X  CODEN： AFMDC6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 2D遷移金属ジカルコゲニド(TMDC)の欠陥工学は,それらの光電気的機能性を調節するために不可欠であるが,欠陥工学TMDC素子アレイに関する報告はわずかである。ここでは,制御雰囲気下での軽い光子照射による化学蒸着(CVD)成長二硫化モリブデン(MoS_2)単分子層における原子空孔制御と元素置換を報告した。Raman分光法,光ルミネセンス,X線および紫外光電子分光法は,よく制御された光活性化が,MoS_2単分子層の仕事関数と同様に,硫黄対モリブデン比を微妙に変調することを包括的に実証した。さらに,原子分解能走査透過型電子顕微鏡法は,硫黄空格子点と酸素置換基の小さい部分(欠陥密度4.6×10~12~9.2×10~13cm-2に対応する2~4at%)がMoS2中に生成し,全体的原子スケール構造完全性は良く保存されていることを直接確認した。電子及び光電子素子アレイも欠陥工学CVD成長MoS_2を用いて実現し,明確な硫黄空格子点及び酸素置換基は,素子性能のトレードオフなしにMoS_2において選択的n及びpドーピングを効果的にもたらすことを確認した。特に,低比率の酸素ドープMoS_2デバイスは,優れた光電気性能を示し,それぞれ,約10~13Jonesの検出能と0.62と2.94sの立上り/減衰時間を達成した。Copyright 2020 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 化学蒸着 ,  ドーピング ,  完全性 ,  電気特性 ,  仕事関数 ,  酸素 ,  Raman分光法 ,  二次元 ,  光子 ,  硫黄 ,  減衰時間 ,  光電子 ,  光ルミネセンス ,  *単分子層 ,  欠陥密度

著者キーワード (5件)： 欠陥工学 ,  元素置換 ,  二硫化モリブデン ,  遷移金属ジカルコゲナイド ,  空格子点制御

分類 (2件)： セラミック・陶磁器の製造  (YC03020V) ,  セラミック・磁器の性質  (YC03030G)

タイトルに関連する用語 (8件)： 高性能 ,  オプトエレクトロニクスデバイス ,  アレイ ,  単分子層 ,  硫化モリブデン ,  原子空孔 ,  元素 ,  置換