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J-GLOBAL ID：202002220549651561   整理番号：20A1061796

高温機能性電子デバイス用のバイプレーナエピタキシャルAlN/SiC/(n,p)SiC構造【JST・京大機械翻訳】

Biplanar Epitaxial AlN/SiC/(n, p)SiC Structures for High-Temperature Functional Electronic Devices

著者 (5件)： Panyutin E. A. (Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia) ,  Sharofidinov Sh. Sh. (Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia) ,  Orlova T. A. (Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia) ,  Snytkina S. A. (Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia) ,  Lebedev A. A. (Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia)
資料名： Technical Physics  (Technical Physics)
巻： 65  号： 3  ページ： 428-433  発行年： 2020年 
JST資料番号： E0952A  ISSN： 1063-7842  CODEN： TEPHEX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 通常のSiC基板(AlNエピタクシーを最終段階で行う)の反対面を用いたエピタキシャルSiCとAlN技術の統合の可能性を調べ,予備的に調製したSiC層の初期品質を保存した。特に,SiC層におけるドーピング不純物の再分布に及ぼすAlNヘテロエピタクシーおよび付随する弾性応力の影響,ならびにこのプロセスに関連する障壁ダイオードの破壊電圧の局所値の変換について研究した。耐久性成長(約3時間,60μm)の可能な負の結果を研究する診断手順として,AlNエピタクシーの前後に意図的に形成され,その後適切な測定手順の後に除去されたAu-SiC型の表面障壁ダイオードマトリックスの電流-電圧特性の逆分岐を測定した。破壊電圧(ヒストグラムの計算を含む)の統計処理は,p層としてのN-AS井戸の平均値と分散の変化が重要でないことを示した。Copyright Pleiades Publishing, Ltd. 2020 Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： エピタクシー ,  *高温 ,  ダイオード ,  不純物 ,  電流電圧特性 ,  *炭化ケイ素 ,  ドーピング ,  *窒化アルミニウム ,  再分布 ,  ヒストグラム ,  ヘテロエピタクシー
準シソーラス用語： *電子素子 ,  絶縁破壊電圧 ,  機能性 ,  弾性応力 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  ダイオード  (NC03050R)

タイトルに関連する用語 (4件)： 機能性 ,  電子デバイス ,  AlN ,  SiC