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J-GLOBAL ID：202002221015157202   整理番号：20A1086097

モノニトリド半導体における高電子移動度,制御可能な磁性および異常光吸収【JST・京大機械翻訳】

High electron mobility, controllable magnetism and anomalous light absorption in a monolayered tin mononitride semiconductor

著者 (2件)： Zhang Shuqing (A Shenzhen Geim Graphene Center (SGC), Tsinghua-Berkeley Shenzhen Institute (TBSI) & Tsinghua Shenzhen International Graduate School (TSIGS), Tsinghua University, Shenzhen 518055, China. [e-mail]) ,  Zou Xiaolong
資料名： Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices  (Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices)
巻： 8  号： 19  ページ： 6396-6402  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2383A  ISSN： 2050-7526  CODEN： JMCCCX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 優れた物理的性質を有する新しい二次元(2D)材料の探索は,材料科学の分野における重要な研究方向である。最近,2D pnictideはエレクトロニクスおよびオプトエレクトロニクスデバイスにおけるそれらの潜在的応用のためにかなりの興味を引き付けている。ここでは,多くの機能的メリットを有する新しい主族金属窒化物-2D錫モノニトリル(SnN)を理論的に予測した。超高電子移動度(>10~4cm~2V~-1s-1),実験的に達成可能な条件下でのロバストで電子ドーピング可能な強磁性,ならびに可視光範囲での異常に高い面外偏光光吸収により,エレクトロニクス,スピントロニクスおよび光エレクトロニクスにおける大きな可能性を示した。これらの好ましい特徴は,将来の応用のために,より多くの主要なグループ金属ピニクチドとそれらのヘテロ構造の拡張された探査をinげるであろう。Copyright 2020 Royal Society of Chemistry All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 強磁性 ,  *半導体 ,  *光吸収 ,  偏光 ,  物理的性質 ,  可視光 ,  電子技術 ,  オプトエレクトロニクス ,  二次元 ,  *磁性 ,  ロバスト性 ,  スピントロニクス
準シソーラス用語： *電子移動度 ,  ヘテロ構造 ,  光電子デバイス , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： ニトリド ,  電子移動度 ,  磁性