文献

J-GLOBAL ID：202002221793290239   整理番号：20A1920984

銅配線のCMP後洗浄におけるBTA除去に及ぼす複合剤の相乗効果【JST・京大機械翻訳】

Synergistic effect of composite complex agent on BTA removal in post CMP cleaning of copper interconnection

著者 (17件)： Yin Da (School of Electronics and Information Engineering, Hebei University of Technology, Tianjin, 300130, People’s Republic of China) ,  Yin Da (Tianjin Key Laboratory of Electronic Materials and Devices, Tianjin, 300130, People’s Republic of China) ,  Yang Liu (School of Electronics and Information Engineering, Hebei University of Technology, Tianjin, 300130, People’s Republic of China) ,  Yang Liu (Tianjin Key Laboratory of Electronic Materials and Devices, Tianjin, 300130, People’s Republic of China) ,  Yang Liu (School of Electronic and Control Engineering, North China Institute of Aerospace Engineering, Langfang, 065000, People’s Republic of China) ,  Ma Tengda (School of Electronics and Information Engineering, Hebei University of Technology, Tianjin, 300130, People’s Republic of China) ,  Ma Tengda (Tianjin Key Laboratory of Electronic Materials and Devices, Tianjin, 300130, People’s Republic of China) ,  Xu Yi (School of Electronics and Information Engineering, Hebei University of Technology, Tianjin, 300130, People’s Republic of China) ,  Xu Yi (Tianjin Key Laboratory of Electronic Materials and Devices, Tianjin, 300130, People’s Republic of China) ,  Tan Baimei (School of Electronics and Information Engineering, Hebei University of Technology, Tianjin, 300130, People’s Republic of China) ,  Tan Baimei (Tianjin Key Laboratory of Electronic Materials and Devices, Tianjin, 300130, People’s Republic of China) ,  Yang Fan (School of Electronics and Information Engineering, Hebei University of Technology, Tianjin, 300130, People’s Republic of China) ,  Yang Fan (Tianjin Key Laboratory of Electronic Materials and Devices, Tianjin, 300130, People’s Republic of China) ,  Sun Xiaoqin (School of Electronics and Information Engineering, Hebei University of Technology, Tianjin, 300130, People’s Republic of China) ,  Sun Xiaoqin (Tianjin Key Laboratory of Electronic Materials and Devices, Tianjin, 300130, People’s Republic of China) ,  Liu Mengrui (School of Electronics and Information Engineering, Hebei University of Technology, Tianjin, 300130, People’s Republic of China) ,  Liu Mengrui (Tianjin Key Laboratory of Electronic Materials and Devices, Tianjin, 300130, People’s Republic of China)
資料名： Materials Chemistry and Physics  (Materials Chemistry and Physics)
巻： 252  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： E0934A  ISSN： 0254-0584  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ベンゾトリアゾール(BTA)は集積回路の多層銅配線の化学的機械的研磨(CMP)のための一般的な腐食抑制剤である。また,ポストCMP洗浄で除去すべき主な対象である。本研究では,BTAを効果的に除去するために,複合剤に基づく新しいタイプのアルカリ洗浄溶液を提案した。新しい錯体錯化剤の最適洗浄濃度比およびpH値を,電気化学的測定および接触角測定を通して調査した。洗浄溶液の成分が250ppmのジエチレントリアミンペンタ酢酸(DTPA),1000ppmのFA/OIIキレート剤と100ppmのポリエチレンイミン(PEI)(pH=10.5)であったとき,BTAによって汚染した銅表面の接触角は,BTAによって汚染する58.1°から25.1°まで減少することができた。密度汎関数理論(DFT)は,DTPAが銅表面上のBTAの吸着エネルギーを減少できることを証明した。銅表面上の原子間力顕微鏡(AFM)と走査電子顕微鏡(SEM)の結果は,複合錯化剤が腐食を引き起こさず,洗浄後に表面粗さが低いことを示した。X線光電子分光法(XPS)の結果は,洗浄溶液が銅イオンを複雑にし,Cu-N結合を破壊し,Cu_2O上に化学吸着したCu-BTAの分解を促進し,BTAを効果的に除去できることを示した。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 化学吸着 ,  集積回路 ,  接触角 ,  走査電子顕微鏡 ,  *銅 ,  腐食抑制剤 ,  キレート剤 ,  密度汎関数法 ,  X線光電子分光法 ,  原子間力顕微鏡 ,  pH【水素イオン指数】 ,  脂肪族アミン ,  脂肪族カルボン酸 ,  ジアミン ,  第三アミン
準シソーラス用語： 錯化剤 ,  *銅配線 ,  銅イオン , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： CMP後洗浄 ,  アルカリ洗浄液 ,  BTA除去 ,  DFT

分類 (4件)： 防食  (WB03040M) ,  非鉄金属材料  (WE03000D) ,  界面化学一般  (CB12010J) ,  固-液界面  (CB12050B)

物質索引 (1件)： DTPA

タイトルに関連する用語 (5件)： 銅配線 ,  CMP ,  洗浄 ,  BTA ,  相乗効果