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J-GLOBAL ID：202002222562713879   整理番号：20A2626415

平面IGBTの動的アバランシェ開始のための解析モデル【JST・京大機械翻訳】

Analytical model for dynamic avalanche onset of planar IGBTs

著者 (5件)： Yang Wuhua (Xi’an University of Technology, Xi’an 710048, China) ,  Wang Cailin (Xi’an University of Technology, Xi’an 710048, China) ,  Yang Jing (Xi’an University of Technology, Xi’an 710048, China) ,  Zhang Qi (Xi’an University of Technology, Xi’an 710048, China) ,  Zhang Ruliang (Xi’an University of Technology, Xi’an 710048, China)
資料名： Microelectronics Reliability  (Microelectronics Reliability)
巻： 115  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： C0530A  ISSN： 0026-2714  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 動的アバランシェ効果はIGBTの帰納的ターンオフ中の電場に及ぼす自由キャリアの影響により生じ,それはデバイス信頼性に影響する重要因子である。本論文では,動的アバランシェ開始のための一次元(1D)解析モデルを,半導体の基本原理に基づいて最初に導出し,動的アバランシェの開始におけるデバイスの内部物理機構の詳細への洞察を与えた。次に,動的アバランシェの開始に影響する臨界構造パラメータを調べた。修正因子Kを1Dモデルに導入することにより,平面IGBTのターンオフ中の電流分布の不均一性を定性的に反映できる粗い2次元(2-D)解析モデルを最終的に得た。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電場 ,  半導体 ,  信頼性 ,  電流分布 ,  臨界 ,  手術室 ,  二次元 ,  一次元 ,  不均一性 ,  構造パラメータ ,  *IGBT ,  *解析モデル ,  ターンオフ
準シソーラス用語： 自由キャリア ,  *ダイナミックアバランシェ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT) ,  動的雪崩 ,  解析モデル ,  安全な手術室(SOA)

分類 (2件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： IGBT ,  動的アバランシェ ,  解析モデル