GaAsベースの大面積ダイオードレーザにおける高出力のためのアプローチ【JST・京大機械翻訳】

Arslan S.; Erbert G.; Boni A.; Wilkens M.; Maasdorf A.; Fricke J.; Ginolas A.; Crump P.

文献

J-GLOBAL ID：202002222738956300 整理番号：20A0220059

GaAsベースの大面積ダイオードレーザにおける高出力のためのアプローチ【JST・京大機械翻訳】

Approaches for higher power in GaAs-based broad area diode lasers

出版者サイト複写サービスで全文入手 {{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=20A0220059&COPY=1") }}
高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=20A0220059&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=W2441A") }}

著者 (8件)： , , , , , , ,
資料名：
巻： 2019 号： HPD ページ： 51-52 発行年： 2019年
JST資料番号： W2441A 資料種別：会議録 (C)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

ここでは,970nmで発光するGaAsベースの高出力広面積ダイオードレーザにおける改善された連続波電気光学性能のための設計アプローチの比較を示した。確立した非対称大規模光共振器設計に基づく90μmストライプ幅のダイオードレーザは,高いピーク変換効率(3mm共振器長さに対して5Wで68%)を達成したが,効率はパワーとともに急速に低下した。電気的および熱的抵抗の半分にもかかわらず,より長い共振器(6mm)を持つ素子はわずかに改善された効率と電力(12Wでの効率は57から59%まで増加し,ピーク電力は13から14Wまで増加する)で動作する。対照的に,エピタキシャル設計における開発は,高出力での電力と効率の強い改善を可能にする。特に,極端な二重および三重の非対称エピタキシャル設計における最近の進歩は,90μmのストライプ幅と4mmの共振器長を有するデバイスを,56%から66%までの12W出力で効率を向上させることを可能にし,そのピーク(飽和)パワーは14から19Wに上昇した。Copyright 2020 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

, , , , , , , ,
, , , , 【Automatic Indexing@JST】

非線形光学 , 半導体レーザ , 固体デバイス計測・試験・信頼性 , 移動通信

, , ,

前のページに戻る