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J-GLOBAL ID：202002223063101170   整理番号：20A0420251

(In,Fe)Sb/GaAs/InGaAsダイオードの作製と発光特性【JST・京大機械翻訳】

Fabrication and luminescent properties of(In,Fe)Sb/GaAs/InGaAs diodes

著者 (7件)： Ved M. V. (Research Institute for Physics and Technology of Lobachevsky State University of Nizhny Novgorod, Nizhny Novgorod, 603950, Russia) ,  Dorokhin M.V. (Research Institute for Physics and Technology of Lobachevsky State University of Nizhny Novgorod, Nizhny Novgorod, 603950, Russia) ,  Lesnikov V. P. (Research Institute for Physics and Technology of Lobachevsky State University of Nizhny Novgorod, Nizhny Novgorod, 603950, Russia) ,  Zdoroveyshchev A.V. (Research Institute for Physics and Technology of Lobachevsky State University of Nizhny Novgorod, Nizhny Novgorod, 603950, Russia) ,  Danilov Yu.A. (Research Institute for Physics and Technology of Lobachevsky State University of Nizhny Novgorod, Nizhny Novgorod, 603950, Russia) ,  Demina P.B. (Research Institute for Physics and Technology of Lobachevsky State University of Nizhny Novgorod, Nizhny Novgorod, 603950, Russia) ,  Kudrin A. V. (Research Institute for Physics and Technology of Lobachevsky State University of Nizhny Novgorod, Nizhny Novgorod, 603950, Russia)
資料名： Journal of Physics: Conference Series  (Journal of Physics: Conference Series)
巻： 1410  号： 1  ページ： 012053 (4pp)  発行年： 2019年 
JST資料番号： W5565A  ISSN： 1742-6588  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： (In,Fe)Sbに基づく注入器をもつInGaAs/GaAsスピン発光ダイオードの電気的およびルミネセンス特性を調べ,エレクトロルミネセンスの円偏光をそのような構造に対して得た。(In,Fe)Sb層の堆積は,表面近傍量子井戸の領域にいかなる付加的欠陥も導入しないが,(In,Fe)Sb/GaAs界面に直接影響することを確立した。強磁性(In,Fe)Sb注入器と発光構造の間のMgOの薄い保護層の応用がこの効果を最小化することが分かった。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 酸化マグネシウム ,  エレクトロルミネセンス ,  *ダイオード ,  ルミネセンス ,  円偏光 ,  注射器 ,  *発光 ,  *ヒ化ガリウムインジウム ,  強磁性 ,  *ヒ化ガリウム ,  発光ダイオード ,  界面 ,  量子井戸
準シソーラス用語： 保護層 ,  *発光特性 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (7件)： Fe ,  Sb ,  GaAs ,  InGaAs ,  ダイオード ,  作製 ,  発光特性