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J-GLOBAL ID：202002223455343239   整理番号：20A1100997

FPGAに基づくメモリコントローラ系によるNANDフラッシュ耐久性予測方式【JST・京大機械翻訳】

A NAND Flash Endurance Prediction Scheme with FPGA-based Memory Controller System

著者 (6件)： Chen Zhuo (Huazhong University of Science and Technology,School of Optical and Electronic Information,Wuhan City,China) ,  Pan Yuqian (Huazhong University of Science and Technology,School of Optical and Electronic Information,Wuhan City,China) ,  Gong Mingyang (Huazhong University of Science and Technology,School of Optical and Electronic Information,Wuhan City,China) ,  Zhang Haichun (Huazhong University of Science and Technology,School of Optical and Electronic Information,Wuhan City,China) ,  Zhang Mingyu (Shenzhen Zhongkexunlian Technology Co.,Ltd,Shenzhen City,China) ,  Liu Zhenglin (Huazhong University of Science and Technology,School of Optical and Electronic Information,Wuhan City,China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2019  号： SOCC  ページ： 68-73  発行年： 2019年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： NANDフラッシュメモリの耐久性は,プロセススケーリングにより減少し続け,貯蔵システムの信頼性の低下とデータ破壊のリスクの上昇をもたらす。ストレージシステムの信頼性を向上させるために,高い精度と完全なアプリケーションを持つニューラルネットワークモデルを利用し,NANDフラッシュの各ブロックが非修正可能なデータエラーが発生する前にどのようにサイクルできるかを予測した。このモデルへの入力は,FPGA(フィールドプログラマブルゲートアレイ)によって測定されたプログラム時間,消去時間,および生ビット誤り(RBE)を含んで,その出力は耐久性の特異的数値的値である。この予測モデルに基づいて,90%以上の精度で実時間耐久性予測のためのFPGAベースの方式を提案した。Copyright 2020 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 信頼性 ,  耐久性 ,  符号誤り ,  記憶方式 ,  応用プログラム ,  *FPGA ,  予測モデル
準シソーラス用語： 神経回路網モデル ,  実時間 ,  *NANDフラッシュ ,  *メモリコントローラ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (4件)： FPGA ,  メモリコントローラ ,  NANDフラッシュ ,  予測