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J-GLOBAL ID：202002223577301848   整理番号：20A1692989

トリメチルアルミニウムとアンモニアを用いたAlNの原子層蒸着【JST・京大機械翻訳】

Atomic layer deposition of AlN using trimethylaluminium and ammonia

著者 (4件)： Beshkova M (Acad. E. Djakov Institute of Electronics, Bulgarian Academy of Sciences, 72 Tzarigradsko Chaussee, 1784 Sofia, Bulgaria) ,  Deminskyi P (Department of Physics, Chemistry and Biology, Linkoping University, 58183 Linkoping, Sweden) ,  Pedersen H (Department of Physics, Chemistry and Biology, Linkoping University, 58183 Linkoping, Sweden) ,  Yakimova R (Department of Physics, Chemistry and Biology, Linkoping University, 58183 Linkoping, Sweden)
資料名： Journal of Physics: Conference Series  (Journal of Physics: Conference Series)
巻： 1492  号： 1  ページ： 012046 (4pp)  発行年： 2020年 
JST資料番号： W5565A  ISSN： 1742-6588  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 薄いAlN膜を,Si基板上に,Picosun R-200原子層堆積(ALD)反応器で成長させた。トリメチルアルミニウム(TMA)とNH_3を前駆体として用いた。基板をH_2とN_2プラズマによりその場洗浄した。成長した膜の表面形態を温度範囲350~450°Cで調べた。膜の結晶構造をすれすれ入射X線回折により調べた。AlN膜は基板温度に関係なく六方晶ウルツ鉱型構造の多結晶であった。走査電子顕微鏡(SEM)の結果は,堆積温度が増加するにつれて10nmから30nmまでサイズが増加するナノメートルサイズの微結晶を明らかにした。結果は,薄いAlN膜の特性の更なる研究の観点から有望である。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 結晶構造 ,  プラズマ ,  微結晶 ,  走査電子顕微鏡 ,  電子顕微鏡観察 ,  *アンモニア ,  反応器 ,  多結晶 ,  六方晶系 ,  前駆体 ,  *窒化アルミニウム ,  基板温度
準シソーラス用語： 表面形態 ,  シリコンウエハ ,  すれすれ入射X線回折 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

物質索引 (1件)： トリメチルアルミニウム

タイトルに関連する用語 (4件)： トリメチルアルミニウム ,  アンモニア ,  AlN ,  原子層蒸着