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J-GLOBAL ID：202002223667824381   整理番号：20A2618002

ヒ素注入Hg_0.7Cd_0.3Te膜における放射線ドナー欠陥の蓄積とアニーリング【JST・京大機械翻訳】

Accumulation and Annealing of Radiation Donor Defects in Arsenic-Implanted Hg0.7Cd0.3Te Films

著者 (11件)： Voitsekhovskii Alexandr (Tomsk State University,36 Lenin, Tomsk,Russia,634050) ,  Korotaev Alexandr (Tomsk State University,36 Lenin, Tomsk,Russia,634050) ,  Izhnin Ihor (Scientific Research Company “Electron-Carat”,202 Stryysyka Str., Lviv,Ukraine,79031) ,  Mynbaev Karim (Ioffe Institute,26 Polytechnicheskaya Str., Saint-Petersburg,Russia,194021) ,  Yakushev Maxim (A.V. Rzhanov Institute of Semiconductor Physics SB RAS,13 Ac. Lavrentieva, Novosibirsk,Russia,630090) ,  Mikhailov Nikolaj (A.V. Rzhanov Institute of Semiconductor Physics SB RAS,13 Ac. Lavrentieva, Novosibirsk,Russia,630090) ,  Varavin Vasilij (A.V. Rzhanov Institute of Semiconductor Physics SB RAS,13 Ac. Lavrentieva, Novosibirsk,Russia,630090) ,  Dvoretsky Sergej (A.V. Rzhanov Institute of Semiconductor Physics SB RAS,13 Ac. Lavrentieva, Novosibirsk,Russia,630090) ,  Marin Denis (A.V. Rzhanov Institute of Semiconductor Physics SB RAS,13 Ac. Lavrentieva, Novosibirsk,Russia,630090) ,  Fitsych Olena (P. Sagaidachny National Army Academy,32 Gvardijska Str., Lviv,Ukraine,79012) ,  Kurbanov Kurban (Kremenchug Flight College,17 Pobedy Str., Kremenchug,Ukraine,39600)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2020  号： EFRE  ページ： 1004-1008  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ヒ素注入Hg_0.7Cd_0.3Te膜における放射線誘起ドナー欠陥の蓄積とアニーリングのプロセスを,移動度スペクトル分析によるデータ処理によるHall効果測定を用いて調べた。Hg_0.7Cd_0.3TeおよびHg_0.8Cd_0.2Te膜における注入層およびフォトダイオードγ′基底層の特性に及ぼすヒ素注入およびポスト注入活性化アニーリングの影響における実質的な差異を確立し,暫定的に説明した。Copyright 2020 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： Hall効果 ,  移動度 ,  *焼なまし ,  *ドナー ,  フォトダイオード ,  *ヒ素 ,  *放射線 ,  分光分析 ,  データ処理

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (7件)： ヒ素 ,  注入 ,  放射線 ,  ドナー ,  欠陥 ,  蓄積 ,  アニーリング