文献

J-GLOBAL ID：202002223756827343   整理番号：20A1341531

ZnO/Siヘテロ接合評価のためのOhmおよびSchottky特性の両方に適用可能な同軸円形試験構造【JST・京大機械翻訳】

Coaxial Circular Test Structure Applicable to both Ohmic and Schottky Characteristics for ZnO/Si Heterojunctions Assessment

著者 (7件)： Miyazawa Norihiro (The University of Tokyo,Department of Electrical Engineering and Information Systems) ,  Usami Naoto (The University of Tokyo,Department of Electrical Engineering and Information Systems) ,  Wang Haibin (The University of Tokyo,Research Center for Advanced Science and Technology) ,  Kubo Takaya (The University of Tokyo,Research Center for Advanced Science and Technology) ,  Segawa Hiroshi (The University of Tokyo,Research Center for Advanced Science and Technology) ,  Mita Yoshio (The University of Tokyo,Department of Electrical Engineering and Information Systems) ,  Higo Akio (The University of Tokyo,Systems Design Lab, School of Engineering)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2020  号： ICMTS  ページ： 1-4  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 炭化接合は新しいデバイス研究において必須である。シリコンベースの大規模集積回路,特にPbSコロイド量子ドット/ZnO/SiハイブリッドIR検出器のハイブリッド赤外感受性オプトエレクトロニックデバイスを研究した。このような新しい材料を評価するために,同軸円形試験構造を提案した。構造は,共通中心内部(円形)と外側(ダウナツ)電極から成る。オーム接触に用いる従来の円形TLM(CTLM)試験構造に加えて,接合型(オームまたはSchottky)を同定でき,提案した構造(同軸CTLM,CCTLM)の種々のギャップと表面積を測定することにより定量的に分析できた。n型ZnO/n型Siヘテロ接合試料の試験構造を用いた測定は,接合がSchottky型であり,これは著者らの期待とは反対であった。Copyright 2020 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *ヘテロ接合 ,  赤外線 ,  接合 ,  表面積 ,  *ケイ素 ,  LSI【IC】 ,  *酸化亜鉛 ,  感受性 ,  炭化 ,  検出器 ,  Ohm接触 ,  硫化鉛
準シソーラス用語： 光電子デバイス ,  コロイド量子ドット ,  コアキシャル , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (7件)： ZnO ,  Si ,  ヘテロ接合 ,  評価 ,  同軸 ,  円形 ,  試験