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J-GLOBAL ID：202002223826230354   整理番号：20A2257688

グラフェン/SiC界面におけるAlNのナノスケール現象のルリング堆積とインターカレーション【JST・京大機械翻訳】

Nanoscale phenomena ruling deposition and intercalation of AlN at the graphene/SiC interface

著者 (9件)： Kakanakova-Georgieva Anelia (Department of Physics, Chemistry and Biology (IFM), Linkoeping University, 581 83 Linkoeping, Sweden. [e-mail]) ,  Gueorguiev Gueorgui K. ,  Sangiovanni Davide G. ,  Suwannaharn Nattamon ,  Ivanov Ivan G. ,  Cora Ildiko ,  Pecz Bela ,  Nicotra Giuseppe ,  Giannazzo Filippo
資料名： Nanoscale  (Nanoscale)
巻： 12  号： 37  ページ： 19470-19476  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2323A  ISSN： 2040-3364  CODEN： NANOHL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： エピタキシャルグラフェン上のAlNの有機金属化学蒸着(MOCVD)プロセスを合理化することによって,将来の2D AlNの動力学的安定化の可能性を調べた。同じMOCVD反応器でカバーできる広範囲の温度から,蒸着は700,900および1240°Cの選択した温度で行った。原子間力顕微鏡,電子顕微鏡およびRaman分光法による構造のキャラクタリゼーションは,広範囲の表面核形成およびインターカレーション現象を明らかにした。これらの現象は,グラフェン上の核形成サイトの豊富な形成,堆積温度と共に加速するグラフェン層のフラグメンテーション,表面への過剰な前駆体由来炭素吸着原子のデリバリー,およびグラフェン/SiC界面でのアルミニウム原子のサブ層のインターカレーションを含む。これらのナノスケール現象の概念理解は,グラフェンとトリメチルアルミニウム, (CH_3)_3アール,前駆体の表面反応の以前の包括的ab initio分子動力学(AIMD)シミュレーションによって支持された。トリメチルインジウム,(CH_3)_3In,前駆体をエピタキシャルグラフェンに適用するケースを比較方法で考察した。Copyright 2020 Royal Society of Chemistry All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *界面 ,  核形成 ,  シミュレーション ,  電子顕微鏡観察 ,  炭素 ,  *炭化ケイ素 ,  フラグメンテーション ,  二次元 ,  前駆体 ,  *窒化アルミニウム ,  MOCVD ,  *インターカレーション ,  *グラフェン
準シソーラス用語： *ナノスケール , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  炭素とその化合物  (YB02060D)

物質索引 (2件)： トリメチルアルミニウム ,  トリメチルインジウム

タイトルに関連する用語 (8件)： グラフェン ,  SiC ,  界面 ,  AlN ,  ナノスケール ,  現象 ,  堆積 ,  インターカレーション