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J-GLOBAL ID：202002224180014364   整理番号：20A0030856

GaAs/InGaAsステップ非対称量子井戸におけるテラヘルツサブバンド間Raman利得に及ぼす伝導帯非放物線性の影響【JST・京大機械翻訳】

Influence of conduction-band non-parabolicity on terahertz intersubband Raman gain in GaAs/InGaAs step asymmetric quantum wells

著者 (5件)： Tiutiunnyk A. (Instituto de Alta Investigacion, CEDENNA, Universidad de Tarapaca, Arica, Chile) ,  Perez-Quintana I. (Facultad de Ingenierias, Universidad Autonoma de Yucatan, Merida, Yucatan, Mexico) ,  Laroze D. (Instituto de Alta Investigacion, CEDENNA, Universidad de Tarapaca, Arica, Chile) ,  Duque C. A. (Grupo de Materia Condensada-UdeA, Instituto de Fisica, Facultad de Ciencias Exactas y Naturales, Universidad de Antioquia UdeA, Medellin, Colombia) ,  Mora-Ramos M. E. (Centro de Investigacion en Ciencias-IICBA, Universidad Autonoma del Estado de Morelos, Cuernavaca, Morelos, Mexico)
資料名： Applied Physics. A. Materials Science & Processing  (Applied Physics. A. Materials Science & Processing)
巻： 126  号： 1  ページ： 1-8  発行年： 2020年 
JST資料番号： D0256C  ISSN： 0947-8396  CODEN： APHYCC  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ステップ状歪GaAs/InGaAs量子井戸における伝導電子状態を,バンド非放物線性の効果を考慮して,有効質量近似の下で理論的に調べた。このような情報を用いて,サブバンド間三準位Raman利得を計算し,THzRamanレーザ発振のための光源としての研究したシステムの可能な応用を明らかにした。高利得サブバンド間遷移のグループを同定し,その結果は200と[数式:原文を参照]の間のRaman利得の値に導く可能性のある井戸幅の観点から適切な幾何学的設計に強く依存し,後者の値はGaAsベースの二重非対称量子井戸で以前に報告された値に近い。二次放射周波数は数十THzの範囲内で同定された。バンド非放物線性の影響は,このような現象を無視して得られた値と比較して,Raman利得の顕著な減少を引き起こすことが分かった。したがって,伝導帯非放物線性は,小ギャップ材料を含む低次元ヘテロ構造におけるサブバンド間関連光応答の正確な定量的記述のための重要な要素になる。Copyright 2019 Springer-Verlag GmbH Germany, part of Springer Nature Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *伝導バンド ,  伝導電子 ,  光源 ,  *ヒ化ガリウム ,  *量子井戸 ,  *ヒ化ガリウムインジウム ,  *非対称性
準シソーラス用語： 光応答 ,  ヘテロ構造 ,  低次元 ,  サブバンド間遷移 ,  高利得 ,  *サブバンド ,  有効質量近似 ,  *Raman利得 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 無機化合物の赤外スペクトル及びRaman散乱,Ramanスペクトル  (BM08063C)

タイトルに関連する用語 (7件)： GaAs ,  InGaAs ,  非対称 ,  量子井戸 ,  Raman利得 ,  伝導帯 ,  放物線