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J-GLOBAL ID：202002224272299900   整理番号：20A0032456

二重および三重ゲートトンネル電界効果トランジスタに及ぼすポケット固有ドーピングの影響【JST・京大機械翻訳】

Effect of Pocket Intrinsic Doping on Double and Triple Gate Tunnel Field Effect Transistors

著者 (2件)： Dutta Ritam (Department of Electronics and Communication Engineering, Surendra Institute of Engineering and Management, Maulana Abul Kalam Azad University of Technology, West Bengal, India) ,  Paitya Nitai (Department of Electronics and Communication Engineering, Sikkim Manipal Institute of Technology, Sikkim Manipal University, Sikkim, India)
資料名： Lecture Notes in Electrical Engineering  (Lecture Notes in Electrical Engineering)
巻： 602  ページ： 249-258  発行年： 2020年 
JST資料番号： W5070A  ISSN： 1876-1100  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： マルチゲートトンネル電界効果トランジスタ(TFET)のソースチャネル接合におけるバンド間トンネリングは,短チャネル効果(SCE)を除去するためのON電流をブーストするための主要な役割を果たす。本論文では,従来の二重ゲートTFET構造(DG-TFET)を設計し,三重ゲートTFET(TG-TFET)を設計するためにゲートエンジニアリングを適用することにより修正した。本研究は,従来のDG-TFETとポケット固有層を有する提案TG-TFETの間を比較することによって,主にドレイン電流(I_ON)評価,高速スイッチング比(I_ON/I_OFF),およびサブ閾値スイング(SS)に焦点を合わせた。TFET性能に対する異なるポケット固有ドーピング条件に対するドレイン電流の変化をレビューし,SILVACO TCADシミュレータにより実証した。ポケット固有三重ゲートTFETは,1×10~20cm~3および1×10~15cm~3のソースおよびポケットドーピングに対して,より高いI_ONおよびより良いI_ON/I_OFF比5.51を示した。これは,他の非従来型トンネルFETと比較して,68.51%速いスイッチング比を提供した。しかし,TG-PI-TFETに対する10~0~10~18cm-3へのポケットドーピングの変化によりサブ閾値スイング(SS)は制限される。これはDG-PI-TFETが低電力応用に対する漏れ電流を考慮して23.93mV/dec(<60mV/dec)の良好なサブ閾値スイングを与えるからである。Copyright 2020 Springer Nature Singapore Pte Ltd. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電力応用 ,  シミュレータ ,  漏れ電流 ,  短チャネル効果 ,  接合 ,  *ドーピング ,  スイッチング ,  電流
準シソーラス用語： TCAD ,  サブ閾値スイング ,  ドレイン電流 ,  二重ゲート ,  バンド間トンネリング ,  マルチゲート ,  *トンネル電界効果トランジスタ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： DG-PI-TFET ,  I_ON/I_OFF比 ,  TG-PI-TFET ,  ポケット固有ドーピング

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： 三重ゲート ,  トンネル電界効果トランジスタ ,  固有 ,  ドーピング