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J-GLOBAL ID：202002224345474251   整理番号：20A0265115

重イオン照射したZnOにおける光ルミネセンスと欠陥相互作用に対するアニーリングの効果:イオン線量の重要な役割【JST・京大機械翻訳】

Effects of annealing on photoluminescence and defect interplay in ZnO bombarded by heavy ions: Crucial role of the ion dose

著者 (5件)： Azarov Alexander (Department of Physics, Centre for Materials Science and Nanotechnology, University of Oslo, PO Box 1048, Blindern, N-0316 Oslo, Norway) ,  Galeckas Augustinas (Department of Physics, Centre for Materials Science and Nanotechnology, University of Oslo, PO Box 1048, Blindern, N-0316 Oslo, Norway) ,  Mieszczynski Cyprian (NOMATEN Centre of Excellence, National Centre for Nuclear Research, A. Soltana 7, 05-400 Otwock-Swierk, Poland) ,  Hallen Anders (Royal Institute of Technology, KTH-EECS, Electrum 229, SE-164 40 Stockholm, Sweden) ,  Kuznetsov Andrej (Department of Physics, Centre for Materials Science and Nanotechnology, University of Oslo, PO Box 1048, Blindern, N-0316 Oslo, Norway)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 127  号： 2  ページ： 025701-025701-7  発行年： 2020年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高密度衝突カスケードを発生する重イオンによるZnOの衝撃は,チャネリングモードにおけるRutherford後方散乱分光法によって見られるように,表面とバルク損傷領域の間に位置する欠陥層を含む非自明な損傷分布の形成のために特に興味がある。光ルミネセンスとチャネリングデータを相関させることにより,Cdイオンを注入したウルツ鉱型ZnO単結晶の欠陥の熱発展が注入線量に強く依存することを実証した。特に,イオン線量は,近バンド端発光と深準位発光バンドの間のスペクトル領域における光学応答に対して大きな効果を有している。アニーリング中の格子間と空孔欠陥の間の相互作用を,多重ピーク損傷分布の発展に関連して議論した。Copyright 2020 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 単結晶 ,  スペクトル ,  *重イオン ,  *焼なまし ,  発光 ,  カドミウム ,  深い準位 ,  *放射線量 ,  *酸化亜鉛 ,  *相互作用 ,  *イオン ,  衝撃 ,  *光ルミネセンス ,  チャネリング ,  *重イオン照射

分類 (4件)： 半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E) ,  無機化合物のルミネセンス  (BM08093J) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (8件)： 重イオン照射 ,  ZnO ,  光ルミネセンス ,  欠陥 ,  相互作用 ,  アニーリング ,  イオン線量 ,  役割