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J-GLOBAL ID：202002224616755809   整理番号：20A2258220

電界Electron放出とそのゲートデバイスを強化するための集積空間電荷制限伝導Schottky接合を持つSiナノワイヤ【JST・京大機械翻訳】

Si Nanowire With Integrated Space-Charge- Limited Conducted Schottky Junction for Enhancing Field Electron Emission and Its Gated Devices

著者 (9件)： Zeng Miaoxuan (State Key Laboratory of Optoelectronic Materials and Technologies, Guangdong Province Key Laboratory of Display Material and Technology, School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-sen University, Guangzhou, China) ,  Huang Yifeng (State Key Laboratory of Optoelectronic Materials and Technologies, Guangdong Province Key Laboratory of Display Material and Technology, School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-sen University, Guangzhou, China) ,  Lu Yaowen (Beijing Orient Institute ofMeasurement and Test, Beijing, China) ,  Yu Jiajie (State Key Laboratory of Optoelectronic Materials and Technologies, Guangdong Province Key Laboratory of Display Material and Technology, School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-sen University, Guangzhou, China) ,  Gu Zengjie (National Key Laboratory of Science and Technology on Vacuum Technology and Physics, Lanzhou Institute of Physics, Lanzhou, China) ,  Yang Wei (National Key Laboratory of Science and Technology on Vacuum Technology and Physics, Lanzhou Institute of Physics, Lanzhou, China) ,  Chen Jun (State Key Laboratory of Optoelectronic Materials and Technologies, Guangdong Province Key Laboratory of Display Material and Technology, School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-sen University, Guangzhou, China) ,  She Juncong (State Key Laboratory of Optoelectronic Materials and Technologies, Guangdong Province Key Laboratory of Display Material and Technology, School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-sen University, Guangzhou, China) ,  Deng Shaozhi (State Key Laboratory of Optoelectronic Materials and Technologies, Guangdong Province Key Laboratory of Display Material and Technology, School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-sen University, Guangzhou, China)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 67  号： 10  ページ： 4467-4472  発行年： 2020年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： マイクロ/ナノ真空エレクトロニクスでは,低い駆動電圧を有する統合電界放出電子源が望まれる。ここでは,結晶性金-銀(Au≡Ag)合金ナノ粒子キャップSiナノワイヤ(SiNW)からの増強および安定な電子放出と,低い駆動電圧(<50V)を有する達成されたゲート電子源を実証した。熱的に誘起した自己集合半球(50≦550nm)結晶Au≡Agナノ粒子を調製し,プラズマエッチングのマスクとして用いて垂直配向高アスペクト比(14)SiNWを形成した。ナノ粒子はエッチング後に保存され,各個々のSiNWとin situ集積Au≡Ag/Si接合を形成した。キャップしたナノ粒子を有するSiNWは,優れた電界放出電流密度(45.80mA/cm2)と電流安定性(変動~6%)を有していた。自己整列プロセスを開発し,カソードとしてAu|Agナノ粒子キャップSiNWを用いてゲート電界放出デバイスを作製した。ゲート素子は,低ゲート電圧(42.1Vで69.52~μA/cm2)で電界放出を示した。実験および数値シミュレーション研究は,Au≡Ag/Si接触が空間電荷制限(SCL)Schottky伝導として挙動することを示した。増強および安定発光の背後にあるアイデアは,SCL Lagrand Schottky接合が負のフィードバックの過程を受け,その結果,顕著なSiNWから電流およびショット雑音を抑制することである。従って,より多くのSiNWは活性化され,安定で高い電界放出電流に寄与した。Copyright 2020 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *空間電荷 ,  *電場 ,  電界放出 ,  電流 ,  発光 ,  *ケイ素 ,  電流密度 ,  電子源 ,  自己整合 ,  カソード ,  ナノ粒子 ,  *ナノワイヤ
準シソーラス用語： 数値シミュレーション ,  ゲート電圧 ,  銀ナノ粒子 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (5件)： 熱電子放出,電界放出  (BM09020S) ,  固体デバイス材料  (NC03020K) ,  トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G) ,  その他の固体デバイス  (NC03150A)

タイトルに関連する用語 (9件)： 電界 ,  放出 ,  ゲート ,  強化 ,  集積 ,  空間電荷制限伝導 ,  Schottky接合 ,  Si ,  ナノワイヤ