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J-GLOBAL ID：202002224650786837   整理番号：20A1938715

DCマグネトロンスパッタNi-Zr合金薄膜の構造と特性に及ぼす基板バイアス電圧の影響【JST・京大機械翻訳】

Influence of substrate bias voltage on structure and properties of DC magnetron sputtered Ni-Zr alloy thin films

著者 (3件)： Sahu Bibhu Prasad (Department of Metallurgical and Materials Engineering, Indian Institute of Technology Kharagpur, Kharagpur, West Bengal, India) ,  Dutta Amlan (Department of Metallurgical and Materials Engineering, Indian Institute of Technology Kharagpur, Kharagpur, West Bengal, India) ,  Mitra Rahul (Department of Metallurgical and Materials Engineering, Indian Institute of Technology Kharagpur, Kharagpur, West Bengal, India)
資料名： Journal of Materials Research  (Journal of Materials Research)
巻： 35  号： 12  ページ： 1543-1555  発行年： 2020年 
JST資料番号： D0987B  ISSN： 0884-2914  CODEN： JMREEE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： マグネトロンスパッタNi-Zr合金薄膜の機械的及びスクラッチ挙動と共に,微細構造進展に影響する負の基板バイアス電圧の役割を調べた。薄膜は,負の基板バイアス電圧(0から-80V)を変えて,室温でのアルゴン雰囲気中で最適化されたターゲットパワーを用いて,高純度元素NiとZrターゲットの直接電流(DC)マグネトロン共スパッタリングによりSi(100)基板上に蒸着した。負の基板バイアス電圧の増加は,調べた膜のZr含有量の増加をもたらした。すれすれ入射X線回折と高分解能透過型電子顕微鏡研究のようなキャラクタリゼーション技術は,負の基板バイアス電圧の増加が非晶質相とNi_3Zrの体積率の増加をもたらすが,堆積速度,表面粗さ,および平均粒径の減少をもたらすことを確認した。ナノスクラッチ実験から得られた摩擦係数と共にナノインデンテーションにより得られた硬度およびYoung率は,ナノ結晶および非晶質相の両方の相対体積分率に関連しているようである。さらに,膜の結晶部分内の粒径の減少に伴うNi_3Zr体積分率の増加は,堆積中に使用される基板バイアスの増加とともに,硬度とスクラッチ抵抗の両方の増加に寄与した。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： Young率 ,  最適化 ,  *電圧 ,  電流 ,  *薄膜 ,  摩擦係数 ,  *ジルコニウム ,  *ニッケル ,  *マグネトロン ,  堆積速度 ,  薄膜成長 ,  ナノ結晶
準シソーラス用語： *基板バイアス ,  *合金薄膜 ,  スクラッチ ,  ナノスクラッチ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： 微細構造 ,  ナノインデンテーション ,  薄膜

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (6件)： DC ,  マグネトロンスパッタ ,  Ni ,  Zr ,  合金薄膜 ,  バイアス電圧