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J-GLOBAL ID：202002224869531886   整理番号：20A2088168

Σ=100nmのゲート長を持つ電界効果トランジスタにおけるドレインゲートI-V特性の非線形性の補償【JST・京大機械翻訳】

Compensation for the Nonlinearity of the Drain-Gate I-V Characteristic in Field-Effect Transistors with a Gate Length of 100 nm

著者 (7件)： Tarasova E. A. (Lobachevsky State University of Nizhny Novgorod, Nizhny Novgorod, Russia) ,  Obolensky S. V. (Lobachevsky State University of Nizhny Novgorod, Nizhny Novgorod, Russia) ,  Khazanova S. V. (Lobachevsky State University of Nizhny Novgorod, Nizhny Novgorod, Russia) ,  Grigoryeva N. N. (Lobachevsky State University of Nizhny Novgorod, Nizhny Novgorod, Russia) ,  Golikov O. L. (Lobachevsky State University of Nizhny Novgorod, Nizhny Novgorod, Russia) ,  Ivanov A. B. (Lobachevsky State University of Nizhny Novgorod, Nizhny Novgorod, Russia) ,  Puzanov A. S. (Lobachevsky State University of Nizhny Novgorod, Nizhny Novgorod, Russia)
資料名： Semiconductors  (Semiconductors)
巻： 54  号： 9  ページ： 1155-1160  発行年： 2020年 
JST資料番号： T0093A  ISSN： 1063-7826  CODEN： SMICES  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： AlGaAs/InGaAs/GaAsおよびInGaAs/GaAs化合物に基づく古典的Schottkyトランジスタおよび二次元電子ガス電界効果トランジスタにおけるゲート-ドレイン電流-電圧特性の非線形性を解析した。トランジスタチャネルにおけるキャリア速度オーバーシュート効果を,研究下の構造の種々のドーピングプロファイルに対して解析した。Copyright Pleiades Publishing, Ltd. 2020 Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *トランジスタ ,  *FET【トランジスタ】 ,  ヒ化ガリウム ,  非線形性 ,  オーバシュート ,  チャネル ,  ヒ化ガリウムインジウム ,  ヒ化ガリウムアルミニウム ,  HEMT ,  二次元電子ガス
準シソーラス用語： *ゲート長 ,  ドレイン電流 ,  ドーピングプロファイル , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： SchottkyとHEMTトランジスタ ,  ゲート-ドレインI-V特性 ,  キャリア速度オーバシュート効果

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： ゲート長 ,  電界効果トランジスタ ,  I-V特性 ,  非線形性 ,  補償