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J-GLOBAL ID：202002225106451717   整理番号：20A0948696

パワー半導体デバイスの自己発熱におけるジャンクション温度の推定と妥当性の検証

Estimation and verification of junction temperature in self-heating of power semiconductor devices

著者 (4件)： 河内昂輝 (大阪大) ,  杉原英治 (大阪大) ,  福永崇平 (大阪大) ,  舟木剛 (大阪大)
資料名： 電気学会研究会資料
号： IM-20-008-016 計測研究会  ページ： 17-22  発行年： 2020年03月27日 
JST資料番号： Z0924B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 近年,SiCパワー半導体デバイスを有する高密度パワーモジュールが,それらの小型化と軽量化のために注目されている。電力モジュールの熱管理は,その安全で信頼できる運転のために重要である。本論文では,パワーサイクル試験を想定した自己発熱条件におけるSiC-SBDのジャンクション温度の推定法を開発し,有限体積法に基づく数値シミュレーションを用いてその妥当性を検証する。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： パワーエレクトロニクス ,  有限体積法 ,  シミュレーション ,  温度 ,  接合部 ,  熱抵抗 ,  加熱 ,  最適化 ,  過渡解析 ,  *Schottky障壁ダイオード ,  炭化ケイ素 ,  昇温 ,  電流電圧特性 ,  熱管理 ,  数値シミュレーション ,  *自己加熱 ,  *粒子群最適化 ,  改変 ,  解析
準シソーラス用語： *パワー半導体デバイス ,  SiC-SBD ,  *接合温度 ,  過渡熱抵抗 ,  *自己発熱 ,  *PSO【最適化】

分類 (1件)： ダイオード  (NC03050R)

引用文献 (10件)：

• 木本恒暢,大谷昇ほか「SiCパワーデバイス最新技術」,サイエンスandテクノロジー社,pp,1~5(2010)
• 菅沼克昭:「SiC/GaNパワー半導体の実装と信頼性評価技術」,日刊工業新聞社 pp.38~41(2014)
• ED-4701:「半導体デバイスの環境及び耐久性試験方法」, JEITA (2001)
• Dustin A. Murdock, Jose E. Ramos Torres : 「Active Thermal Control of Power Electronic Modules 」 IEEE Transactions on Industry Applications, VOL. 42, NO. 2, 552~558 (2006)
• B. Jayant Baliga : 「Fundamentals of Power Semiconductor Devices 」, Springer Science, pp.167~179 (2008)

タイトルに関連する用語 (7件)： パワー ,  半導体デバイス ,  自己発熱 ,  ジャンクション ,  推定 ,  妥当性 ,  検証