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J-GLOBAL ID：202002225279689449   整理番号：20A2476756

BaLaCuS_3の実験的およびDFT研究:直接バンドギャップ半導体【JST・京大機械翻訳】

Experimental and DFT study of BaLaCuS₃: Direct band gap semiconductor

著者 (5件)： Oreshonkov A.S. (Laboratory of Molecular Spectroscopy, Kirensky Institute of Physics, Federal Research Center KSC SB RAS, Krasnoyarsk, 660036, Russia) ,  Oreshonkov A.S. (School of Engineering and Construction, Siberian Federal University, Krasnoyarsk, 660041, Russia) ,  Azarapin N.O. (Institute of Chemistry, Tyumen State University, Tyumen, 625003, Russia) ,  Shestakov N.P. (Laboratory of Molecular Spectroscopy, Kirensky Institute of Physics, Federal Research Center KSC SB RAS, Krasnoyarsk, 660036, Russia) ,  Adichtchev S.V. (Institute of Automation and Electrometry, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk 630090, Russia)
資料名： Journal of Physics and Chemistry of Solids  (Journal of Physics and Chemistry of Solids)
巻： 148  ページ： Null  発行年： 2021年 
JST資料番号： C0202A  ISSN： 0022-3697  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： BaLaCuS_3粉末を硫化法で調製した。粉体粒子の形状は不規則であり,10~100μmの範囲で位置する。電子,弾性および振動特性をDFT法を用いて評価した。電子バンド構造計算によれば,BaLaCuS_3はEd_g=2.0eVの直接的なワイドバンドギャップ半導体であり,間接遷移エネルギーは2.2eVと等しく,BaLaCuS_3は効率的な水中太陽電池のための有望な材料である。BaLaCuS_3の計算した圧縮性は,zunc硫化物のゲルマニウムと閃亜鉛鉱の改質と同一であることが分かった。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 太陽電池 ,  *半導体 ,  粉体 ,  ゲルマニウム ,  弾性 ,  硫化物 ,  硫化 ,  閃亜鉛鉱 ,  圧縮性
準シソーラス用語： ワイドバンドギャップ ,  振動特性 ,  ワイドギャップ半導体 ,  間接遷移 ,  電子バンド構造 ,  *直接バンドギャップ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 硫化 ,  半導体 ,  直接バンドギャップ ,  ワイドバンドギャップ ,  太陽電池

分類 (1件)： 酸化物系超伝導体の物性  (BM04023I)

タイトルに関連する用語 (4件)： 実験 ,  DFT ,  研究 ,  直接バンドギャップ