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J-GLOBAL ID：202002225995820093   整理番号：20A2662859

AlN/GaNヘテロ構造IMPATTおよびMITATTダイオードの大信号性能の最適設計【JST・京大機械翻訳】

Optimal Design of Large Signal Performance of AlN/GaN Hetero-Structural IMPATT and MITATT Diodes

著者 (7件)： Wu Ping (Wenzhou University, College of Electrical and Electronic Engineering, China Zhejiang province) ,  Wei Wen Sheng (Wenzhou University, College of Electrical and Electronic Engineering, China Zhejiang province) ,  Zheng Jun Ding (Wenzhou University, College of Electrical and Electronic Engineering, China Zhejiang province) ,  Yang Wei Bo (Wenzhou University, College of Electrical and Electronic Engineering, China Zhejiang province) ,  Li Chang (Wenzhou University, College of Electrical and Electronic Engineering, China Zhejiang province) ,  He Ming Chang (Wenzhou University, College of Electrical and Electronic Engineering, China Zhejiang province) ,  Wan Yi (Wenzhou University, College of Electrical and Electronic Engineering, China Zhejiang province)
資料名： Materials Science Forum  (Materials Science Forum)
巻： 1014  ページ： 157-162  発行年： 2020年 
JST資料番号： D0716B  ISSN： 0255-5476  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Al_xGa_1-xN/GaNのヘテロ構造は,高周波および大電力デバイスにおいて重要な応用を示す。本論文では,AlN/GaNを採用して,0.85THzの大気低損失窓周波数で動作する大電力衝撃アバランシェ遷移時間(IMPATT)および混合トンネルアバランシェ遷移時間(MITATT)ダイオードを最適設計した。デバイスの静的状態と大きな信号特性を数値的にシミュレートした。ピーク電場強度,ブレークダウン電圧,アバランシェとトンネルの最大生成速度,アドミタンス周波数関係,出力パワー,変換効率,提案したヘテロ構造IMPATTとMITATTダイオードの品質因子をそれぞれ計算した。(n)AlN/(p)GaNと(n)GaN/(p)AlN IMPATTダイオードの得られた結果をMITATT対応物のそれらと比較することで,IMPATTとMITATTデバイスの間にほとんど性能差がなく,一方(n)AlN/(p)GaNと(n)GaN/(p)AlNダイオードの間の顕著な差を意味した。Copyright 2020 Trans Tech Publications Ltd. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 衝撃 ,  *ダイオード ,  最適設計 ,  IMPATTダイオード ,  HF【周波数】 ,  信号特性 ,  *窒化アルミニウム ,  *窒化ガリウム ,  電界強度
準シソーラス用語： アドミタンス ,  品質因子 ,  *ヘテロ構造 ,  パワーデバイス ,  絶縁破壊電圧 ,  変換効率 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： 大信号 ,  AlN/GaN ,  最適設計 ,  ヘテロ構造 ,  IMPATTダイオード ,  MITATTダイオード

分類 (1件)： ダイオード  (NC03050R)

タイトルに関連する用語 (5件)： AlN ,  GaN ,  ヘテロ構造 ,  ダイオード ,  最適設計