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J-GLOBAL ID：202002226318472445   整理番号：20A2553475

SiC MOSFETモジュールのゲートドライバ集積接合温度推定【JST・京大機械翻訳】

Gate-Driver Integrated Junction Temperature Estimation of SiC MOSFET Modules

著者 (7件)： Mocevic Slavko (Virginia Polytechnic Institute and State University,Center for Power Electronics Systems,Blacksburg,VA,USA,24061) ,  Mitrovic Vladimir (Virginia Polytechnic Institute and State University,Center for Power Electronics Systems,Blacksburg,VA,USA,24061) ,  Wang Jun (Virginia Polytechnic Institute and State University,Center for Power Electronics Systems,Blacksburg,VA,USA,24061) ,  Burgos Rolando (Virginia Polytechnic Institute and State University,Center for Power Electronics Systems,Blacksburg,VA,USA,24061) ,  Boroyevich Dushan (Virginia Polytechnic Institute and State University,Center for Power Electronics Systems,Blacksburg,VA,USA,24061) ,  Jaksic Marko (General Motors Global Propulsion Systems,Pontiac,MI,USA,48340) ,  Teimor Mehrdad (General Motors Global Propulsion Systems,Pontiac,MI,USA,48340)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2020  号： ECCE  ページ： 3761-3768  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SiC MOSFET電力モジュールは,環境過酷システムにおけるグローバルソリューションになっている。このようなシステムの達成信頼性は,大きな経済的含意により,最も重要である。それにより,本論文の焦点は,関連するスイッチ情報のリアルタイム挙動に関する洞察を提供することにより,ゲートドライバ(GD)にインテリジェンスを与えることによって,最終的にSiC MOSFETSの信頼性を改善することである。デバイススイッチ電流I_dは,オン状態ドレイン-ソースV_dsとの組み合わせにおいて,短期信頼性を評価する短絡回路検出に使用することとは別に,オンライン接合温度(T_J)推定の可能性を可能にする。T_Jの知識は,長期信頼性の側面を theぐ,健康状態,残存寿命,保守スケジューリングなどのSiC MOSFETデバイスのアクティブ熱制御と状態監視を可能にする。T_Jモデルはキャリブレーション手順により得られ,GD上に位置するFLASHメモリに貯蔵された。FPGAの支援により,開発したルックアップテーブルを評価し,市販のSiC MOSFETハーフブリッジモジュール構成における両デバイスの実時間接合温度監視を可能にした。Copyright 2020 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 記憶装置 ,  信頼性 ,  *炭化ケイ素 ,  FPGA ,  含意 ,  ルックアップテーブル ,  余寿命
準シソーラス用語： 健康状態 ,  長期信頼性 ,  パワーモジュール ,  実時間 ,  状態監視 ,  *接合温度 ,  オンライン ,  *SiC MOSFET , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (8件)： SiC ,  MOSFET ,  モジュール ,  ゲート ,  ドライバ ,  集積 ,  接合温度 ,  推定