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J-GLOBAL ID：202002226367291754   整理番号：20A0432531

400GHzにおける二重ビームジャイロトロンの低電圧動作【JST・京大機械翻訳】

Low-Voltage Operation of the Double-Beam Gyrotron at 400 GHz

著者 (13件)： Kuleshov Alexei (Research Center for Development of Far-Infrared Region, University of Fukui, Fukui, Japan) ,  Ishikawa Yuya (Research Center for Development of Far-Infrared Region, University of Fukui, Fukui, Japan) ,  Tatematsu Yoshinori (Research Center for Development of Far-Infrared Region, University of Fukui, Fukui, Japan) ,  Mitsudo Seitaro (Research Center for Development of Far-Infrared Region, University of Fukui, Fukui, Japan) ,  Idehara Toshitaka (Research Center for Development of Far-Infrared Region, University of Fukui, Fukui, Japan) ,  Khutoryan Eduard (Research Center for Development of Far-Infrared Region, University of Fukui, Fukui, Japan) ,  Kishko Sergey (Vacuum Electronics Department, O.Ya. Usikov Institute for Radiophysics and Electronics, National Academy of Sciences of Ukraine, Kharkiv, Ukraine) ,  Ponomarenko Sergey (Vacuum Electronics Department, O.Ya. Usikov Institute for Radiophysics and Electronics, National Academy of Sciences of Ukraine, Kharkiv, Ukraine) ,  Glyavin Mikhail (Institute of Applied Physics of the Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia) ,  Bandurkin Ilya (Institute of Applied Physics of the Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia) ,  Manuilov Vladimir (Institute of Applied Physics of the Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia) ,  Fedotov Alexey (Institute of Applied Physics of the Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia) ,  Saito Teruo (Research Center for Development of Far-Infrared Region, University of Fukui, Fukui, Japan)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 67  号： 2  ページ： 673-676  発行年： 2020年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二重ビームTHzジャイロトロンに対して,非相対論的加速電圧下での効率的な動作を実験的に実証した。0.4THzの周波数での出力パワーは,5.4kVの動作電圧に対して60Wであり,開始電圧は2.4kVと低かった。これは計算と良く一致した。低電圧においてビームピッチ因子を増加させることによって,始動電圧をさらに減少させることができて,出力パワーを増加させることができた。3電極マグネトロン注入ガン(MIG)のシミュレーションにより,最適化したMIG形状と変調陽極に正電圧を印加することにより達成できることを示した。Copyright 2020 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 最適化 ,  *ジャイロトロン ,  マグネトロン ,  アノード ,  非相対論 ,  *電圧
準シソーラス用語： 動作電圧 ,  加速電圧 ,  *低電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  その他の電子回路  (NC05090X)

タイトルに関連する用語 (3件)： 二重ビーム ,  ジャイロトロン ,  低電圧