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J-GLOBAL ID：202002226456862647   整理番号：20A2245511

ラジカル増強MOCVD(REMOCVD)で成長させたホモエピタキシャルGaNの結晶品質に及ぼすチェンバ圧力の影響【JST・京大機械翻訳】

Influence of chamber pressure on the crystal quality of homo-epitaxial GaN grown by radical-enhanced MOCVD (REMOCVD)

著者 (5件)： Amalraj Frank Wilson (Center for Low-temperature Plasma Sciences, Nagoya University, Nagoya 464-8603, Japan) ,  Shimizu Naohiro (Center for Low-temperature Plasma Sciences, Nagoya University, Nagoya 464-8603, Japan) ,  Oda Osamu (Center for Low-temperature Plasma Sciences, Nagoya University, Nagoya 464-8603, Japan) ,  Ishikawa Kenji (Center for Low-temperature Plasma Sciences, Nagoya University, Nagoya 464-8603, Japan) ,  Hori Masaru (Center for Low-temperature Plasma Sciences, Nagoya University, Nagoya 464-8603, Japan)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 549  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： アンモニアガスを含まないソースガスとして窒素と水素を用いて,非常に高い周波数の電源100MHzのラジカル増強有機金属化学蒸着(REMOCVD)によってIII窒化物を成長させた。トップ電極での無線周波数(RF)電力の適用は,活性化窒素,水素および他の窒素種を生成する。ホモエピタキシャル窒化ガリウム(GaN)成長を,REMOCVDによるチャンバ圧力の関数として研究した。成長したGaNを,走査電子顕微鏡(SEM),原子間力顕微鏡(AFM),および二重結晶X線回折(XRD)によって特性評価した。GaラジカルとNラジカルを,チャンバ圧力の関数として発光分光法(OES)によって検出した。V/III比はN_2*/Ga*比によって変化し,GaNのステップフロー成長は300Paのチャンバ圧力の下で達成された。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： X線回折 ,  走査電子顕微鏡 ,  電子顕微鏡観察 ,  *ラジカル ,  電力 ,  *ガリウム ,  水素 ,  窒素 ,  *窒化ガリウム ,  *MOCVD ,  発光分光法 ,  原子間力顕微鏡
準シソーラス用語： *チャンバ ,  *結晶品質 ,  無線周波数 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： A1.結晶形態 ,  A1.成長モード ,  A_3 ラジカル増強MOCVD ,  B1.窒化物 ,  B1.ガリウム化合物 ,  B2 半導体III-V材料

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (9件)： ラジカル ,  増強 ,  MOCVD ,  成長 ,  ホモ ,  エピタキシャル ,  GaN ,  結晶品質 ,  チェンバ