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J-GLOBAL ID：202002226534349198   整理番号：20A2007656

高温での窒化ガリウムへの注入プラセオジムの光ルミネセンス特性【JST・京大機械翻訳】

Photoluminescence properties of implanted Praseodymium into Gallium Nitride at elevated temperatures

著者 (9件)： Sato Shin-ichiro (Quantum Beam Science Research Directorate, National Institutes for Quantum and Radiological Science and Technology, 1233 Watanuki, Takasaki, Gunma 370-1292, Japan) ,  Deki Manato (Venture Business Laboratory, Nagoya University, Furo-Cho, Chikusa-ku, Nagoya, Aichi, 464-8603, Japan) ,  Nishimura Tomoaki (Research Center of Ion Beam Technology, Hosei University, 3-7-2 Kajino-cho, Koganei, Tokyo 184-0002, Japan) ,  Okada Hiroshi (Institute of Liberal Arts and Sciences, Toyohashi University of Technology, 1-1 Hibarigaoka, Tempaku, Toyohashi, Aichi 441-8580, Japan) ,  Watanabe Hirotaka (Institute of Materials and Systems for Sustainability, Nagoya University, Furo-cho, Chikusa-ku, Nagoya, Aichi 464-8601, Japan) ,  Nitta Shugo (Institute of Materials and Systems for Sustainability, Nagoya University, Furo-cho, Chikusa-ku, Nagoya, Aichi 464-8601, Japan) ,  Honda Yoshio (Institute of Materials and Systems for Sustainability, Nagoya University, Furo-cho, Chikusa-ku, Nagoya, Aichi 464-8601, Japan) ,  Amano Hiroshi (Institute of Materials and Systems for Sustainability, Nagoya University, Furo-cho, Chikusa-ku, Nagoya, Aichi 464-8601, Japan) ,  Ohshima Takeshi (Quantum Beam Science Research Directorate, National Institutes for Quantum and Radiological Science and Technology, 1233 Watanuki, Takasaki, Gunma 370-1292, Japan)
資料名： Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms  (Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms)
巻： 479  ページ： 7-12  発行年： 2020年 
JST資料番号： H0899A  ISSN： 0168-583X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 希土類(RE)ドープGallium Nitride(GaN)は,室温で電気的に駆動される単一光子源として用いられることが期待されるので,低線量REイオン注入と発光中心としてのそれらの活性化は興味深い。本論文は,室温から1200°Cまでの異なる温度でのプラセオジム(Pr)注入GaNの光ルミネセンス(PL)特性を報告する。すべてのPr注入GaN試料は,注入後に熱的にアニールされ,650.2nmと652.0nmに強いPL発光を示し,Pr3+イオンの4f殻における3P_0→3F_2遷移に起因した。Pr3+イオンに由来するPL強度は,1200°Cで焼なましたPr注入試料の注入温度が増加するにつれて減少した。この結果は,Pr3+イオンが複雑な欠陥と欠陥クラスタの形成により消光することを示唆する。GaN結晶性の回復に及ぼす高温注入の影響を臨界線量と変位損傷の観点から考察した。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *高温 ,  発光 ,  *光ルミネセンス ,  イオン注入 ,  ドーピング ,  結晶度 ,  臨界 ,  放射線量 ,  *プラセオジム ,  *窒化ガリウム ,  発光中心 ,  はじき出し損傷 ,  欠陥クラスタ ,  単一光子源

著者キーワード (5件)： 窒化ガリウム ,  希土類イオン ,  光ルミネセンス ,  イオン注入 ,  放射線損傷

分類 (1件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (4件)： 窒化ガリウム ,  注入 ,  プラセオジム ,  光ルミネセンス